铜铜键合的方法技术

本发明专利技术涉及一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，无尺寸大于1μm的颗粒，基板上铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或真空层压覆盖一层覆盖材料，覆盖材料为环氧树脂、光解胶膜、背面胶膜、热塑性树脂或光阻材料；（3）将芯片的铜焊点与基板的铜焊点对正；（4）在充满惰性气体的密闭空间里，利用软性压头将芯片固定在基板上，温度为150～250℃，软性压头的压力为50～100kN，时间为30分钟～3小时；（5）固化后，按照上述步骤在芯片上进行多层芯片的堆叠。本发明专利技术能够实现铜线超密集脚距更高密度的集成，并在低于200℃的温度条件下完成键合后的固定。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，无尺寸大于1μm的颗粒，基板上铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或真空层压覆盖一层覆盖材料，覆盖材料为环氧树脂、光解胶膜、背面胶膜、热塑性树脂或光阻材料；（3）将芯片的铜焊点与基板的铜焊点对正；（4）在充满惰性气体的密闭空间里，利用软性压头将芯片固定在基板上，温度为150～250℃，软性压头的压力为50～100kN，时间为30分钟～3小时；（5）固化后，按照上述步骤在芯片上进行多层芯片的堆叠。本专利技术能够实现铜线超密集脚距更高密度的集成，并在低于200℃的温度条件下完成键合后的固定。【专利说明】
本专利技术涉及一种，属于半导体封装
。
技术介绍
随着微电子工业的蓬勃发展，集成电路电子封装业正快速的向体积小，高性能，高密集，多芯片方向推进，因此铜引线的超密集脚距(ultra-fine pitch,如3 μ m、6 μ m)更具意义。 现有技术中，专利WO 2012089105本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，基板铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或真空层压覆盖一层覆盖材料，覆盖厚度为1～5μm，覆盖材料为环氧树脂、光解胶膜、背面胶膜、热塑性树脂或光阻材料； （3）在基板表面精密定位，将芯片铜焊点与基板铜焊点对正，定位方法采用光学对准、红外对准或模板对准；（4）按照步骤（3）的方法将芯片布满整个基板；（5）在充满惰性气体的洁净密闭空间里，利用软性的压头将已粘结在基板上的芯片固定在基板上，工艺要求如下：温度为150～250℃，软性压头的压力...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林挺宇，顾海洋，李婷，
申请(专利权)人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32