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本发明涉及一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，无尺寸大于1μm的颗粒，基板上铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或...该专利属于华进半导体封装先导技术研发中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华进半导体封装先导技术研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种铜铜键合的方法，其特征是，包括以下工艺步骤：（1）对基板及芯片进行表面预处理，使基板的表面粗糙度<0.3nm，无尺寸大于1μm的颗粒，基板上铜焊点突起高度为100～500nm，表面平整度<5%；（2）在基板上旋涂或...