基座、石英晶体谐振器及加工工艺制造技术

本发明专利技术涉及一种基座、石英晶体谐振器及加工工艺，属于谐振器结构及加工工艺技术领域。基座，包括镜像设计的Ｕ型第一电极和Ｕ型第二电极、底板与绝缘子，两电极之间以及两电极外侧与底板之间分别填充绝缘子，绝缘子外露于石英晶体谐振器外。石英晶体谐振器包括基座与外壳，外壳底部通过底板上表面所设凸椽与基座封装，基座两电极上方分别连接第一簧片、第二簧片，两簧片上表面通过导电胶连接晶片。本发明专利技术结构设计合理，绝缘子外露能有效防止石英晶体谐振器两电极在回流焊时发生锡短路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种基座、石英晶体谐振器及加工工艺，属于谐振器结构及加工工艺

技术介绍
现有的石英晶体谐振器的绝缘子内嵌，石英晶体谐振器两电极在回流焊时可能会 发生锡短路，并且会发生石英晶体谐振器两电极与底板、外壳易短路，目前，表面贴装型SMD 产品采用陶瓷材料作为绝缘体，只能采用平行封焊形式。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决上述已有技术存在的不足之处，提供一种结构设计合理， 能够有效防止石英晶体谐振器两电极在回流焊时锡短路，防止石英晶体谐振器两电极与底 板、外壳短路的基座、石英晶体谐振器及加工工艺。本专利技术是通过以下技术方案实现的基座，其特殊之处在于包括镜像设计的U型第一电极2和U型第二电极3、底板9 与绝缘子，U型第一电极2和U型第二电极3之间以及U型第一电极2和U型第二电极3外 侧与底板9之间分别填充绝缘子，绝缘子外露于石英晶体谐振器外；所述底板9通过第一绝缘子10与U型第一电极2绝缘连接，U型第一电极2通过 第二绝缘子1与U型第二电极3绝缘连接，U型第二电极3通过第三绝缘子11与底板9绝 缘连接，第一绝缘子10、第二绝缘子1、第三绝缘子11均外露于石英晶体谐振器外；所述U型第一电极2和U型第二电极3采用可伐合金制成，U型第一电极2和U型 第二电极3采用腐蚀方法或直接成型方法形成；所述底板9的上表面设有凸椽12，以适用于石英晶体谐振器的外壳8封装。上述基座的加工工艺，其特殊之处在于包括以下两种工艺流程1、采用玻璃材料加陶瓷材料直接成型绝缘体，然后向绝缘体内插入两个L型电 极，再将两个L型电极上部分别打弯，打完后形成U型第一电极2和U型第二电极3，然后在 绝缘体的两侧分别烧结底板9 ；2、首先做成金属腔体，然后向腔体内放入用于制造绝缘子的玻璃材料，然后向玻 璃材料中插入两个L型电极，再将两个L型电极上部分别打弯，打完后形成U型第一电极2 和U型第二电极3，烧结成型；在金属腔体两侧的底板9位置处、U型第一电极2和U型第二电极3的外围涂敷保 护层，然后腐蚀，使绝缘子外露，形成裸露的第一绝缘子10、第二绝缘子1、第三绝缘子11， 金属腔体涂敷保护层处未被腐蚀，形成两侧的底板9，裸露的绝缘子将两侧的底板9与U型 第一电极2和U型第二电极3之间分别隔断，防止发生锡短路。采用上述基座的石英晶体谐振器，其特殊之处在于包括基座与外壳8，外壳8底部 通过底板9上表面所设凸椽12与基座封装，基座的U型第一电极2和U型第二电极3的上方分别连接第一簧片4、第二簧片5，第一簧片4、第二簧片5的上表面通过导电胶6连接晶 片7。上述石英晶体谐振器的加工工艺，特殊之处在于包括以下工艺流程1、在上述制作的基座的U型第一电极2和U型第二电极3的上表面分别点焊第一 簧片4、第二簧片5，在第一簧片4、第二簧片5的上方放置晶片7，然后在晶片7的两侧点胶， 通过导电胶6使晶片7与第一簧片4、第二簧片5相固定；2、采用平行封焊或者电阻焊将外壳8压封于底板9上。本专利技术结构设计合理，绝缘子外露能有效防止石英晶体谐振器两电极在回流焊时 发生锡短路，并且能防止石英晶体谐振器两电极与底板、外壳短路，电极采用可伐合金制 成，压封形式仍可采用电阻焊形式，同时可通过改变底板结构采用平行封焊，有效的提高了 密封性。附图说明图1 本专利技术一种石英晶体谐振器的结构示意图；图2 第一簧片4、第二簧片5结构示意图；图3 第一簧片4、第二簧片5加工方法示意图。图中1、第二绝缘子，2、U型第一电极，3、U型第二电极，4、第一簧片，5、第二簧片， 6、导电胶，7、晶片，8、外壳，9、底板，10、第一绝缘子，11、第三绝缘子，12、凸椽。具体实施例方式以下参考附图给出本专利技术具体实施方式，用来对本专利技术做进一步的说明。实施例1本实施例的基座，包括镜像设计的U型第一电极2和U型第二电极3、底板9与绝 缘子，U型第一电极2和U型第二电极3之间以及U型第一电极2和U型第二电极3外侧 与底板9之间分别填充绝缘子，通过绝缘子10、1、11相互绝缘并与底板9绝缘，底板9的上 表面设有适用于石英晶体谐振器外壳8封装的凸椽12，底板9通过第一绝缘子10与U型 第一电极2绝缘连接，U型第一电极2通过第二绝缘子1与U型第二电极3绝缘连接，U型 第二电极3通过第三绝缘子11与底板9绝缘连接，第一绝缘子10、第二绝缘子1、第三绝缘 子11外露于石英晶体谐振器外；U型第一电极2、U型第二电极3采用可伐合金制成，采用 直接成型方法形成。基座的加工工艺包括以下工艺流程采用玻璃材料加陶瓷材料直接成型绝缘体，然后向绝缘体内插入两个L型电极， 再将两个L型电极上部分别打弯，打完后形成U型第一电极2和U型第二电极3，然后在绝 缘体的两侧分别烧结底板9;石英晶体谐振器，见图1，包括基座与外壳8，外壳8底部通过底板9上表面所设凸 椽12与基座封装，基座的U型第一电极2和U型第二电极3的上方分别连接第一簧片4、第 二簧片5，第一簧片4、第二簧片5的上表面通过导电胶6连接晶片7。上述第一簧片4、第二簧片5见图2，包括一对对称的设有低台面21的簧片，低台 面21的上表面一侧为凸起的高平台22，高平台22的上表面为粗糙处理的点胶面23，低台面21设有用于与下部引线相点焊的点焊点24。上述第一簧片4、第二簧片5加工方法，见图3，包括以下步骤1、对长方体簧片的一侧进行冲压，形成一边凸起、一边下凹的L型台阶，L型台阶 的下凹侧构成一个下台面，L型台阶的凸起侧、即未进行冲压一侧构成一个上台面，即簧片 的高平台22 ；2、将上述冲压形成的L型台阶下台面的外侧溢出部分C-l、C-2、C_3裁掉，即形成 簧片的低台面21。石英晶体谐振器的加工工艺，包括以下工艺流程1、在上述制作的基座的U型第一电极2和U型第二电极3的上表面分别点焊第一 簧片4、第二簧片5，在第一簧片4、第二簧片5的上方放置晶片7，然后在晶片7的两侧点胶， 通过导电胶6使晶片7与第一簧片4、第二簧片5相固定；2、采用平行封焊或者电阻焊将外壳8压封于底板9上。实施例2与实施例1的区别在于U型第一电极2、U型第二电极3采用腐蚀方法形成。基座的加工工艺包括以下工艺流程首先做成金属腔体，然后向腔体内放入用于制造绝缘子的玻璃材料，然后向玻璃 材料中插入两个L型电极，再将两个L型电极上部分别打弯，打完后形成U型第一电极2和 U型第二电极3，烧结成型；然后在金属腔体两侧的底板9位置处、U型第一电极2和U型第二电极3的外围 涂敷保护层，然后腐蚀，使绝缘子外露，形成裸露的第一绝缘子10、第二绝缘子1、第三绝缘 子11，金属腔体涂敷保护层形成两侧的底板9，裸露的绝缘子将两侧的底板9、U型第一电极 2和U型第二电极3之间分别隔断，防止发生锡短路。由于目前SMD石英谐振器产品有两种类型，一种是金属封装，此产品基座供应几 乎被日本垄断，导致成本高且供应不稳定，另一种是胶封装产品，虽然是成熟技术，但由于 胶需要高温(390° )融化，在质量信赖性上较金属封装差，并且供应也几乎被日本垄断；此 专利产品结合了 HC-49S支架制作工艺，外形上用U型电极替代引线，所有原材料及加工国 内均能完成，从而使成本降低。上述实施例结构设计合理，能够有效降低晶体的整体高度，实现晶体的小型化。绝 缘子外露能本文档来自技高网...

【技术保护点】
基座，其特征在于包括镜像设计的Ｕ型第一电极（２）和Ｕ型第二电极（３）、底板（９）与绝缘子，Ｕ型第一电极（２）和Ｕ型第二电极（３）之间以及Ｕ型第一电极（２）和Ｕ型第二电极（３）外侧与底板（９）之间分别填充绝缘子，绝缘子外露于石英晶体谐振器外。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李斌，黄屹，李卫强，
申请(专利权)人：李斌，黄屹，李卫强，
类型：发明
国别省市：37[中国|山东]