闪存的存取装置及方法制造方法及图纸

本发明专利技术提出一种闪存的存取装置，包括控制器、第一信道内存组以及第二信道内存组。第一信道内存组包括第一闪存以及至少第一内存扩充槽。第二信道内存组则包括第二闪存以及第二内存扩充槽。控制器依据侦测第一、二内存扩充槽有无插入闪存的状态，来判断针对第一、二闪存进行读取或写入的方式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关一种，且特别是有关一种双通道的闪存的存 取装置及方法。
技术介绍
闪存(flash memory)是一种电子式的可程序只读存储器(programmable read only memory)，允许在操作中多次的被抹除及写入。常见的闪存包括有或非门式闪存(NOR flash)以及与非门式闪存(NAND flash) 0而不论是或非门式闪存或是与非门式闪存都有 被抹写的次数限制，用与非门式闪存为例子，MLC式的与非门式闪存的可抹写次数通常为1 万次，而SLC式的与非门式闪存的可抹写次数则通常为10万次。在现今的技术中，有一种双通道(dual channel)的闪存的存取装置。这种公知技 术的双信道的闪存存取装置在储存数据时，可以藉由将欲储存的数据分成两个部份。并将 这两个部份的数据，透过不同的通道同时储存至不同的闪存中。如此一来，数据储存到闪存 中的速度，有效的变成为两倍。也就是说，闪存存取装置的存取数据的频宽也上升为两倍。然而，由于闪存可能会因为抹写次数过多而损毁。在上述的双信道的闪存存取装 置中，一旦有任何一个通道的闪存损毁时，其中所储存的数据将永远的丢失(loss本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种闪存的存取装置，其特征在于包括：一控制器；一第一信道内存组，透过一第一通道耦接所述控制器，包括；一第一闪存，耦接所述控制器；以及至少一第一内存扩充槽，耦接所述第一闪存及所述控制器；以及一第二信道内存组，透过一第二通道耦接所述控制器，包括；一第二闪存，耦接所述控制器；以及至少一第二内存扩充槽，耦接所述第三闪存及所述控制器；其中所述控制器依据侦测所述第一、二内存扩充槽有无插入闪存的状态，来判断针对所述第一、二闪存进行读取或写入的方式。

【技术特征摘要】
1.一种闪存的存取装置，其特征在于包括一控制器；一第一信道内存组，透过一第一通道耦接所述控制器，包括；一第一闪存，耦接所述控制器；以及至少一第一内存扩充槽，耦接所述第一闪存及所述控制器；以及一第二信道内存组，透过一第二通道耦接所述控制器，包括；一第二闪存，耦接所述控制器；以及至少一第二内存扩充槽，耦接所述第三闪存及所述控制器；其中所述控制器依据侦测所述第一、二内存扩充槽有无插入闪存的状态，来判断针对 所述第一、二闪存进行读取或写入的方式。2.按照权利要求1所述的存取装置，其特征在于当所述第一内存扩充槽连接一第三闪 存，且所述第二内存扩充槽则连接一第四闪存时，所述控制器更依据侦测所述第一、二、三 以及闪存以及所述第四闪存的读取或写入动作的正常与否，来规划各所述闪存为一主要内 存或是一备份内存。3.按照权利要求2所述的存取装置，其特征在于所述控制器更在侦测出作为所述主要 内存的所述快闪记忆的读取或写入动作不正常时，切换对应的所述备份内存的所述快闪记 忆为所述主要内存。4.按照权利要求2所述的存取装置，其特征在于所述控制器在侦测所述闪存的读取或 写入动作皆为正常时，规划所述第一、二闪存为所述主要内存，并规划所述第三、四闪存为 所述备份内存。5.按照权利要求4所述的存取装置，其特征在于所述第三闪存用来备份所述第一闪存 中所储存的数据，且所述第四闪存用来备份所述第二闪存中所储存的数据。6.按照权利要求2所述的存取装置，其特征在于所述控制器在侦测所述第一信道内存 组中的所述闪存的读取或写入动作为不正常时，规划所述第二闪存为所述主要内存并规划 所述第四闪存为所述备份内存。7.按照权利要求2所述的存取装置，其特征在于所述控制器在侦测所述第二信道内存 组中的所述闪存的读取或写入动作为不正常时，规划所述第一闪存为所述主要内存并规划 所述第三闪存为所述备份内存。8.按照权利要求1所述的存取装置，其特征在于所述第一、二信道内存组与所述控制 器皆配置在相同的一电路基板上。9.按照权利要求1所述的存取装置，其特征在于所述第一信道内存组与所述控制器皆 配置在相同的一电路基板上，所述第二信道内存组为开放式与非门闪存接口组。10.按照权利要求1所述的存取装置，其特征在于所述控制器配置在一电路基板上，所 述第一、...

【专利技术属性】
技术研发人员：林火元，陈振顺，
申请(专利权)人：技嘉科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]