薄膜晶体管基板及其制造方法技术

技术编号:5209200 阅读:213 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术涉及一种薄膜晶体管基板及其制造方法。薄膜晶体管基板包括限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域内形成有公共电极线、像素电极和薄膜晶体管,所述公共电极线包括相互连接且用于与所述像素电极构成存储电容的横电极线和竖电极线,用于减小数据线对像素电极影响的竖电极线位于所述数据线上方。本发明专利技术通过在数据线上方形成公共电极线,使公共电极线覆盖大部分数据线,由于公共电极线具有持续输入且恒定的公共电压,从而有效减小了电压不断变化的数据线对其上像素电极所产生的影响,提高显示品质。此外,本发明专利技术还增加了单位面积的存储电容,可以进一步改善显示效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电子纸及其制造方法,特别是一种薄膜晶体管基板及其制造方 法。
技术介绍
电子纸(Electronic Paper,简称E-Paper)也称数字纸,是将普通纸张显示信息 的特点与计算机显示屏的特点相结合的产物,而基于电泳技术的电子纸已逐渐成为极具发 展潜力的柔性电子显示技术之一,其主体结构包括沉积有电子墨水的电子墨水基板、控制 电子墨水的薄膜晶体管基板以及夹设在其间用于粘连两者的胶层。目前,现有技术电子纸的薄膜晶体管基板的典型结构包括形成在基板上的栅线和 栅电极,第一绝缘层形成在栅线和栅电极上,由半导体层和掺杂半导体层(欧姆接触层)组 成的有源层形成在第一绝缘层上,源电极和漏电极形成在有源层上,第二绝缘层形成在上 述结构层上,并在漏电极位置开设有绝缘层过孔,像素电极形成在第二绝缘层上,并通过绝 缘层过孔与漏电极连接。由于电子纸的电子墨水基板没有设置黑矩阵,因此电子纸的薄膜 晶体管基板中的像素电极覆盖整个显示区域。实际应用中发现,由于数据线上的电压不断 变化,数据线会与覆盖数据线的像素电极产生耦合电容,而耦合电容将影响像素电极在电 压保持阶段的电压,影响显示品质。专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管基板,包括限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域内形成有公共电极线、像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述公共电极线包括相互连接且用于与所述像素电极构成存储电容的横电极线和竖电极线,用于减小数据线对像素电极影响的竖电极线位于所述数据线上方。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板,包括限定了像素区域的栅线和数据线,所述像素区域内形成 有公共电极线、像素电极和薄膜晶体管,其特征在于,所述公共电极线包括相互连接且用于 与所述像素电极构成存储电容的横电极线和竖电极线,用于减小数据线对像素电极影响的 竖电极线位于所述数据线上方。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅电极、 有源层、源电极和漏电极,由半导体层和掺杂半导体层组成的有源层形成在基板上;所述源 电极和漏电极的一端位于所述有源层上,另一端位于基板上,源电极和漏电极之间形成TFT 沟道区域,所述源电极、漏电极和TFT沟道区域上形成有第一绝缘层;所述栅线、公共电极 线和栅电极形成在所述第一绝缘层上,其上形成有第二绝缘层,所述第二绝缘层和第一绝 缘层上形成有使所述像素电极与漏电极连接的绝缘层过孔。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括栅电极、 有源层、源电极和漏电极,由半导体层和掺杂半导体层组成的有源层形成在基板上;所述源 电极和漏电极形成在所述有源层上,源电极和漏电极之间形成TFT沟道区域,所述源电极、 漏电极和TFT沟道区域上形成有第一绝缘层;所述栅线、公共电极线和栅电极形成在所述 第一绝缘层上,其上形成有第二绝缘层,所述第二绝缘层和第一绝缘层上形成有使所述像 素电极与漏电极连接的绝缘层过孔。4.根据权利要求1 3中任一权利要求所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,还包括用 于遮挡光照射所述薄膜晶体管中TFT沟道区域的遮光层。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管基板,其特征在于,所述遮光层位于基板与薄膜 晶体管的半导体层之间。6.一种薄膜晶体管基板制造方法,其特征在于,包括步骤1、通过构图工艺形成包括有源层、数据线、源电极和漏电极的图形;步骤2、沉积第一绝缘层和栅金属薄膜,通过构图工艺形成包括栅线、公共电极线和栅 电极的图形,所述公共电极线包括横电极线和竖电极线,所述竖电极线位于数据线的上方, 且与横电极线连接;步骤3、沉积第二绝缘层,通过构图工艺形成包括绝缘层过孔的图形,所述绝缘层过孔 位于所述漏电极的上方;步骤4、沉积导电薄膜,通过构图工艺形成包括像素电极的图形,所述像素电极通过绝 缘层过孔与漏电极连接。7.根据权利要求6所述的薄膜晶体管基板制造方法,其特征在于,所述步骤1包括在基板上依次沉积半导体薄膜和掺杂半导体薄膜,采用普通掩模板通过构图工艺在基板上形成包括有源层的图形,所述有源层包括半导体层和掺...

【专利技术属性】
技术研发人员:武延兵李文波陈维涛
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:11[中国|北京]

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1
相关领域技术
  • 暂无相关专利