微机电系统芯片及其封装方法技术方案

本发明专利技术提出一种微机电系统芯片及其封装方法，该封装方法包含：制作覆盖晶圆，其步骤包括：提供一个第一基板；及在该第一基板上方形成蚀刻终止层；制作元件晶圆，其步骤包括：提供一个第二基板；及在该第二基板上形成ＭＥＭＳ元件与围绕ＭＥＭＳ元件的材料层；将覆盖晶圆与元件晶圆接合；在覆盖晶圆与元件晶圆接合后，蚀刻第一基板，使其形成至少一条信道；通过第一基板形成的信道，蚀刻该蚀刻终止层；蚀刻该材料层；以及在第一基板上沉积密封层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)芯片及其封装方法。
技术介绍
微机电系统芯片制程中，内部MEMS元件，例如微声压传感器、陀螺仪、加 速度计等经常需要封装于密闭的空间中以保持其稳定性。现有技术中，封装的过程是 在MEMS元件蚀刻完成后进行，以接合材料(如铝或玻璃质)将含有微机电元件的晶圆 (device wafer)与另一覆盖晶圆(capping wafer)接合。然而，由于先完成(release)MEMS 元件才进行封装，在封装过程中与CMOS制程整合的MEMS元件因铝或其它材料不能耐 受高温，因此限制了封装的方式，且与CMOS制程整合的MEMS元件也较易于在封装过 程中受损。本专利技术提供一种微机电系统芯片结构及其封装方法，以降低温度的影响，并提 高MEMS元件的良率。
技术实现思路
本专利技术的第一目的在于克服现有技术的不足与缺陷，提出一种微机电系统芯片 的封装方法，通过先完成结合封装后，再蚀刻完成内部MEMS元件，以解决前述问题。本专利技术的另一目的在于，提出一种以上述方式封装的微机电系统芯片。为达成以上目的，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微机电系统芯片封装方法，其特征在于，包含步骤：制作覆盖晶圆，其步骤包括：提供一个第一基板；及在该第一基板上方形成蚀刻终止层；制作元件晶圆，其步骤包括：提供一个第二基板；及在该第二基板上形成ＭＥＭＳ元件与围绕ＭＥＭＳ元件的材料层；将覆盖晶圆与元件晶圆接合；在覆盖晶圆与元件晶圆接合后，蚀刻第一基板，使其形成至少一条信道；通过第一基板形成的信道，蚀刻该蚀刻终止层；以及蚀刻该材料层。

【技术特征摘要】
1.一种微机电系统芯片封装方法，其特征在于，包含步骤 制作覆盖晶圆，其步骤包括提供一个第一基板；及 在该第一基板上方形成蚀刻终止层； 制作元件晶圆，其步骤包括 提供一个第二基板；及在该第二基板上形成MEMS元件与围绕MEMS元件的材料层；将覆盖晶圆与元件晶圆接合；在覆盖晶圆与元件晶圆接合后，蚀刻第一基板，使其形成至少一条信道； 通过第一基板形成的信道，蚀刻该蚀刻终止层；以及 蚀刻该材料层。2.如权利要求1所述的微机电系统芯片封装方法，其中，还包含在第一基板上沉 积密封层，该密封层的材料包含金属。3.如权利要求1所述的微机电系统芯片封装方法，其中，蚀刻终止层与材料层的材料 包含氧化物，且蚀刻该蚀刻终止层与材料层的方式为氟化氢蒸气蚀刻。4.如权利要求1所述的微机电系统芯片封装方法，其中，制作元件晶圆的步骤还包 含在材料层上设置连接垫，及在该连接垫上沉积绝缘层，且该绝缘层包含碳化硅或无晶 娃。5.如权利要求1所述的微机电系统芯片封装方法，其中，蚀刻第一基板的步骤包含感 应耦合电浆。6.如权利要求1所述的微机电系统芯片封装方法，其中，还包含在接合后对第一 基板或第二基板或两者以研磨方式削薄其厚度，其中，该第一基板厚度介于ΙΟΟμιη 200 μ m之间。7.如权利要求1所述的微机电系统芯片封装方法，其中，将覆盖晶圆与元件晶圆接合 的步骤包括在覆盖晶圆与元件晶圆间提供至少一层结合层将两者接合，该至少一层结 合层材料包含以下之一聚对二甲苯、聚二甲基硅氧烷、环氧树脂或感光树脂，且将覆 盖晶圆与元件晶圆接合的步骤包括气密封装或非气密封装。8.如权利要求7所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王传蔚，
申请(专利权)人：原相科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]