一种电弧离子镀ＣＮ薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种电弧离子镀ＣＮ薄膜的方法，属于表面工程技术领域。在石墨电弧源工作的过程中，通过离子源辅助引入Ｎ元素，从而制备了ＣＮ薄膜；通过调节Ｎ２气流量和石墨电弧源的工作频率，可以改变ＣＮ薄膜中的Ｎ含量，获得综合性能优异的耐磨损ＣＮ薄膜；ＣＮ薄膜为非晶态，薄膜厚度可以达到３μｍ；采用电弧离子镀技术制备的ＣＮ薄膜可以应用于复杂曲面精密工件表面的耐磨损处理；本发明专利技术采用电弧离子镀技术制备的ＣＮ薄膜硬度大于３０ＧＰａ；ＣＮ薄膜中的Ｎ元素含量可控，易于实现ＣＮ薄膜性能优化；采用电弧离子镀技术可以在复杂曲面工件表面镀ＣＮ薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种电弧离子镀CN薄膜的方法，属于表面工程
，特别是采用 电弧离子镀技术镀CN薄膜的方法，可应用于金属工件表面镀膜，提高精密工件的表面硬 度、降低磨擦系数，提高工件的耐磨损性能，从而达到延长工件使用寿命的目的。
技术介绍
CN薄膜具有高的硬度、低摩擦系数，是优良的耐磨损薄膜。采用反应磁控溅射法和 化学气相沉积法制备CN薄膜的研究相对成熟，制备的CN薄膜中N含量可控，其硬度一般小 于 20GPa。采用电弧离子镀技术可以获得硬度更高的CN薄膜，具有更优异的耐磨损性能，薄 膜中的N含量最高可达50%左右，CN薄膜的总厚度可以达到3 μ m。同时，由于电弧离子镀 技术本身的特点，采用电弧离子镀技术制备CN薄膜可以实现复杂曲面工件的耐磨损处理。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决采用反应磁控溅射法和化学气相沉积法制备CN薄膜的 硬度低的问题，提出一种电弧离子镀CN薄膜的方法。本专利技术的目的是通过以下技术方案实现的。本专利技术的一种电弧离子镀CN薄膜的方法，实现该方法的电弧离子镀膜设备包括 真空室并在真空室内配置了石墨电弧源、离子源、偏压电源和多通道供气系统；是在石墨电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电弧离子镀ＣＮ薄膜的方法，其特征在于：实现该方法的电弧离子镀膜设备包括真空室并在真空室内配置了石墨电弧源、离子源、偏压电源和多通道供气系统；是在石墨电弧源工作的过程中，通过离子源辅助引入Ｎ元素，从而制备了ＣＮ薄膜；通过调节Ｎ↓［２］气流量和石墨电弧源的工作频率，可以改变ＣＮ薄膜中的Ｎ含量，获得综合性能优异的耐磨损ＣＮ薄膜；ＣＮ薄膜为非晶态，薄膜厚度可以达到３μｍ；采用电弧离子镀技术制备的ＣＮ薄膜可以应用于复杂曲面精密工件表面的耐磨损处理；　　其具体制备步骤为：　　１）向真空室内通入Ａｒ气，打开离子源，对工件表面进行活化处理；　　２）关闭离子源，断开Ａｒ气，对工件加偏压，打开Ｔｉ电弧源，镀Ｔ...

【技术特征摘要】
一种电弧离子镀CN薄膜的方法，其特征在于实现该方法的电弧离子镀膜设备包括真空室并在真空室内配置了石墨电弧源、离子源、偏压电源和多通道供气系统；是在石墨电弧源工作的过程中，通过离子源辅助引入N元素，从而制备了CN薄膜；通过调节N2气流量和石墨电弧源的工作频率，可以改变CN薄膜中的N含量，获得综合性能优异的耐磨损CN薄膜；CN薄膜为非晶态，薄膜厚度可以达到3μm；采用电弧离子镀技术制备的CN薄膜可以应用于复杂曲面精密工件表面的耐磨损处理；其具体制备步骤为1)向真空室内通入Ar气，打开离子源，对工件表面进行活化处理；2)关闭离子源，断开Ar气，对工件加偏压，打开Ti电弧源，镀Ti过渡层；3)关闭Ti电弧源，向真空室内通入N2和Ar混和气体，打开离子源，同时打开石墨电弧源，镀CN薄膜。2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：马占吉，赵栋才，武生虎，肖更竭，任妮，
申请(专利权)人：中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所，
类型：发明
国别省市：62[中国|甘肃]