电子发射器件、电子源、电子束装置和图像显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种电子发射器件、电子源、电子束装置和图像显示装置。该电子发射器件包括：设置在基板上的绝缘构件，该绝缘构件在该绝缘构件的表面上具有凹陷部分，其中该绝缘构件的该表面具有侧面和上面，该侧面延续至该凹陷部分，并且该上面延续至该凹陷部分；设置在该上面上的栅极；以及设置在该侧面上的阴极，该阴极具有从该凹陷部分的该侧面一侧的边缘向该栅极突起的突起部分，在该凹陷部分的该侧面一侧的边缘处该侧面延续至该凹陷部分，该突起部分与该栅极相对。其中，该突起部分的在沿该凹陷部分的该侧面一侧的边缘的方向上的长度短于该栅极的在沿该凹陷部分的该侧面一侧的边缘的方向上的长度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于平板显示器并具有设置在其中的发射电子的电子发射器件的电 子束装置。
技术介绍
常规上，存在使得大量电子从阴极被发射、与面对的栅极碰撞并在那里被散射、 然后取出电子的电子发射器件。作为以这种形式发射电子的器件，表面传导型电子发射 器件和堆叠型电子发射器件是已知的，并且日本专利申请公开No. 2000-251643公开了 电子发射部分的间隙为5nm或更小的高效率电子发射器件。另外，日本专利申请公开 No. 2001-229809公开了通过栅极材料厚度、驱动电压和绝缘层厚度的函数给出能够以高效 率发射电子的条件的堆叠型电子发射器件。并且，日本专利申请公开No. 2001-167693公开 了具有在电子发射部分附近的绝缘层中提供凹陷部分的结构的堆叠型电子发射器件。日本专利申请公开No. 2000-251643公开了使得多个电子发射点存在于形成的间 隙中的器件，并由此能提供抑制电子发射部分中的放电并能长时期稳定工作的电子发射器 件。尽管所述技术能抑制电子发射部分中的放电，但是，上述的电子发射器件没有充分解决 从电子发射点中的每个点发射的电子的量随着驱动器件的驱动时间期间而增本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子发射器件，包括：设置在基板（１）上的绝缘构件（３ａ，３ｂ），所述绝缘构件在所述绝缘构件的表面上具有凹陷部分（７），其中所述绝缘构件的所述表面具有侧面和上面，所述侧面延续至所述凹陷部分，并且所述上面延续至所述凹陷部分；设置在所述上面上的栅极（５）；以及设置在所述侧面上的阴极（６），所述阴极具有从所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘向所述栅极突起的突起部分，在所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘处所述侧面延续至所述凹陷部分，所述突起部分与所述栅极相对，其中，所述突起部分的在沿所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘的方向上的长度（Ｔ４）短于所述栅极的在沿所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘的方向上的长度（Ｔ５...

【技术特征摘要】
JP 2008-4-10 2008-102009一种电子发射器件，包括设置在基板(1)上的绝缘构件(3a，3b)，所述绝缘构件在所述绝缘构件的表面上具有凹陷部分(7)，其中所述绝缘构件的所述表面具有侧面和上面，所述侧面延续至所述凹陷部分，并且所述上面延续至所述凹陷部分；设置在所述上面上的栅极(5)；以及设置在所述侧面上的阴极(6)，所述阴极具有从所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘向所述栅极突起的突起部分，在所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘处所述侧面延续至所述凹陷部分，所述突起部分与所述栅极相对，其中，所述突起部分的在沿所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘的方向上的长度(T4)短于所述栅极的在沿所述凹陷部分的所述侧面一侧的边缘的方向上的长度(T5)。2.根据权利要求1的电子发射器件，其中，所述栅极具有从所述凹陷部分的所述上面 一侧的边缘延伸的、与所述凹陷部分和所述突起部分相对的相对部分，在所述凹陷部分的 所述上面一侧的边缘处所述上面延续至所述凹陷部分。3.根据权利要求2的电子发射器件，其中，所述相对部分的不面对所述凹陷部分的上 部被覆盖有由与所述阴极的材料相同的材料制成的膜。4.根据权利要求2的电子发射器件，其中，所述相对部分的面对所述凹陷部分的底面 (5a)被覆盖有绝缘层(3c)。5.根据权利要求1的电子发射器件，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：冢本健夫，森口拓人，竹内英司，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]