【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电压调节器,更具体的说是涉及使用单片解决方案的多相直流-直流 调节器。
技术介绍
多相电压调节器多用在大电流低电压场合,其典型值是电流25-150A,电压 0. 8-1. 2V。多相电压调节器的主要优点是输出纹波很小,这样可以减小输入、输出电容的体 积,并提高效率。图1所示为多相开关模式电压调节器电路100的示意图,包含控制器和η相电路 (Il-In),其中每相电路又包括高位开关管101、低位开关管102、高位开关管101的栅极驱 动电路103、低位开关管102的栅极驱动电路104以及电感(Li···Ln),其中高位开关管101 和低位开关管102可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。控制器发送栅极驱动 信号到各相高位栅极驱动电路103和各相低位栅极驱动电路104。高位栅极驱动电路103 根据栅极驱动信号来开通或关断高位开关管101 ;低位栅极驱动电路104根据栅极驱动信 号来开通或关断低位开关管102。在图1所示的第一相电路11中,高位栅极驱动电路103的输入端接收反相栅极 驱动信号^ 来驱动高位开关管101,低位栅极驱动电路104 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
US 2010-2-2 12/698819一种多相功率开关模式电压调节器,包括多个相电路,每相包括至少一个开关器件阵列,每个所述的开关器件阵列相互并联连接,每个所述开关器件阵列中的每个开关器件包括开关管和栅极驱动,其中,每个所述的开关管具有减小的导通电阻,并且将驱动所述开关管的栅极驱动靠近所述开关管布置,以减小栅极耦合阻容值。2.如权利要求1所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,其中每一相电路 包括并联连接的高位开关器件阵列,每个高位开关器件包括高位开关管和高位栅极驱动;以及并联连接的低位开关器件阵列,每个低位开关器件包括低位开关管和低位栅极驱动, 每一相中所述高位开关器件和所述低位开关器件均被设置为互补导通和关断。3.如权利要求2所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,所述的栅极驱动 包括逻辑电路,所述逻辑电路产生逻辑高信号和逻辑低信号分别用于开通和关断所述的开 关器件。4.如权利要求3所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,所述的栅极驱动 包括第一沟道类型的高位晶体管和与之串联的第二沟道类型的低位晶体管,所述第一沟道 类型的高位晶体管和第二沟道类型的低位晶体管的栅极接收栅极驱动信号,并为同一个开 关器件中的所述开关管提供栅极信号。5.如权利要求2所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,还包括一组输入/ 输出电气端子,包括输入电压端子,电气耦接到所述高位开关管的漏极;开关端子,对于每相电路均有一个,电气耦接到该相电路中所述高位开关管的源极和 所述低位开关管的漏极;接地端子,电气耦接到所述低位开关管的源极;至少一个驱动信号端子,电气耦接到所述栅极驱动的栅极;至少一个供电端子,电气耦接为所述栅极驱动提供电压。6.如权利要求5所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,还包括以下部分 或全部的输入/输出电气端子,包括死区时间控制端子;电流采样端子;以及至少一个相电路的控制端子,电气耦接用于控制各相电路的状态。7.如权利要求5所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,每个所述端子包 括适合与倒装晶片凸点连接的电气焊盘,电气耦接使得所述开关器件与外部电路通信。8.如权利要求2所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,还包括至少一个 以下电路控制逻辑电路;欠压保护电路;电流采样电路;浮动自举充电电路,电气耦接到所述高位开关器件,用以调节通过MOSFET管和栅极驱动的电压;充电电路,用以调节所有所述低位栅极驱动的电压;带隙电路;第一电平转换电路;或第二电平转换电路。9.如权利要求2所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,每一相电路还包 括电气耦接在所述高位开关管和所述低位开关管之间的输出滤波电路,所述输出滤波电路 包括电感和与所述电感串联的电容。10.如权利要求1 9之一所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,所述开 关管为MOSFET。11.如权利要求2所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,所述开关管为N 型双扩散金属氧化物半导体场效应管。12.如权利要求2所述的多相功率开关模式电压调节器,其特征在于,还包括控制器, 用以给每相电路所述的高位栅极驱动提供反相栅极驱动信号和所述的低位栅极驱动提供 栅极驱动信号。13.一种多相功率开关模式电压调节器包括半导体倒装晶片,包括多相开关模式电压调节器电路,该多相开关模式电压调节器 电路每相包括至少一个开关器件阵列,每个开关器件阵列包括MOSFET管和用以驱动该 MOSFET管的栅极驱动;以及引线框结构,用以连接所述半导体倒装晶片,所述引线框结...
【专利技术属性】
技术研发人员:邢正人,安东尼奥巴克,
申请(专利权)人:成都芯源系统有限公司,
类型:发明
国别省市:90
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