防止谐波与频闪产生的交流发光二极管制造技术

本发明专利技术是有关于一种防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，包括：一交流电源接收端以接收含有正周期电源及负周期电源的交流电源，一第一组发光二极管于正周期电源被导通、于负周期电源被关闭，以及一第二组发光二极管于负周期电源被导通、于正周期电源被关闭；其中，第一组、及第二组发光二极管所具有的整体启动电压低于交流电源的峰值超过一默认值，且其所具有的整体可承受逆电压高于该交流电源的峰值，由此以提升功率因素、防止谐波产生，进而有效改善交流发光二极管的频闪现象。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种交流发光二极管，尤其是指一种适用于防止谐波与频闪产生的 交流发光二极管。
技术介绍
发光二极管为目前科技产业重点发展的项目之一。发光二极管的工艺技术已趋成 熟，现今已有蓝色、白色、粉红色、紫色、红色、橙色、绿色、黄色等色系的发光二极管。发光 二极管在应用上日趋普遍，举凡手电筒、汽车照明、灯饰等可供照用的灯体均可使用发光二 极管。为求更广泛地运用，目前研发有一种交流发光二极管(AC LED)，可直接将其插电于 60Hz、或更高频率的1IOV交流电压，该技术已有效解决发光二极管无法直接在交流电源下 使用的问题。然而，交流发光二极管虽有可直接接上市电的优点，但若是电源系统的电压、电流 不稳定，交流发光二极管的亮度会有明显的明暗变化，将出现人眼可辨识的闪烁问题。此 夕卜，由于市电所提供的交流电源本身就是正、负半周的交流电压讯号，若交流发光二极管模 块的整体顺向启动电压偏高，将造成流经交流发光二极管的交流电流在Zero-Crossing处 时间过长，同样会发生频闪的现象。因此，确实有必要针对此一课题进行改善。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，以防止谐波 而改善交流发光二极管的频闪现象。为实现上述目的，本专利技术提供的交流发光二极管，包括一交流电源接收端，用以 接收一交流电源，其包含有一正周期电源、及一负周期电源；一第一组发光二极管，于该交 流电源的正周期电源被导通，于该交流电源的负周期电源被关闭；以及一第二组发光二极 管，于该交流电源的负周期电源被导通，于该交流电源的正周期电源被关闭；其中，每一该 第一组发光二极管及该第二组发光二极管包含有复数个发光二极管微晶粒，每一发光二极 管微晶粒具有一启动电压及一可承受逆电压，致使每一该第一组发光二极管及该第二组发 光二极管所具有的整体启动电压低于该交流电源的峰值超过一默认值，且每一该第一组发 光二极管及该第二组发光二极管所具有的整体可承受逆电压高于该交流电源的峰值，进而 提升功率因素(Power Factor)。经由本专利技术所提供的防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，可调整交流发光二 极管模块的顺向启动电压，以防止谐波电流的产生，并且有效改善交流发光二极管的频闪 现象。附图说明图1 (a)是本专利技术一较佳实施例的第一组发光二极管示意图。图1 (b)是本专利技术一较佳实施例的第二组发光二极管示意图。图2是本专利技术一较佳实施例的发光二极管微晶粒电压_电流对应图。图3是本专利技术一较佳实施例的电压比较图。图4(a)是本专利技术另一较佳实施例的第三组发光二极管示意图。图4(b)是本专利技术另一较佳实施例的第四组发光二极管示意图。图5是本专利技术另一较佳实施例的电压比较图。附图中主要组件符号说明1，2_发光二极管；101 114，201 212-发光二极管微晶粒；10-交流电源； 100-交流电源接收端；1001-第一交流电源接收端；1002-第二交流电源接收端；11-第一 组发光二极管；12-第二组发光二极管；3-芯片；Vs-启动电压；Vd-可承受逆电压；Vs’， Vs”_整体启动电压；Vd’，Vd”-整体可承受逆电压；Vp-交流电压峰值；Vx-默认值。具体实施例方式请先参考图1，图1为本专利技术防止谐波与频闪产生的交流发光二极管的示意图， 以 本专利技术一较佳实施例为例，该发光二极管1包含有十四颗发光二极管微晶粒101 114、及 一交流电源接收端100。该些十四颗发光二极管微晶粒101 114及交流电源接收端100 是整合于同一封装结构的芯片3上。如图1(a)所示，发光二极管微晶粒101、发光二极管微晶粒103、发光二极管微晶 粒104、发光二极管微晶粒105、发光二极管微晶粒107、发光二极管微晶粒106、发光二极管 微晶粒108、发光二极管微晶粒109、发光二极管微晶粒112、发光二极管微晶粒111、发光二 极管微晶粒110、发光二极管微晶粒113是串联组成第一组发光二极管11 ；如图1(b)所示，发光二极管微晶粒114、发光二极管微晶粒112、发光二极管微晶 粒111、发光二极管微晶粒110、发光二极管微晶粒108、发光二极管微晶粒109、发光二极管 微晶粒107、发光二极管微晶粒106、发光二极管微晶粒103、发光二极管微晶粒104、发光二 极管微晶粒105、发光二极管微晶粒102串联组成第二组发光二极管12。该交流电源接收端100含有一第一交流电源接收端1001、及第二交流电源接收端 1002，交流电源接收端100连接至市电以接收一交流电源10。交流电源10包含有一正周期 电源、及一负周期电源。第一组发光二极管11系于交流电源10的正周期电源被导通，并于 该交流电源10的负周期电源被关闭；第二组发光二极管12于交流电源10的负周期电源被 导通，而于交流电源的正周期电源被关闭。其次，请一并参考图2及图3。图2是本专利技术发光二极管微晶粒的电压-电流对应 图，图3是本专利技术发光二极管的整体启动电压、整体可承受电压与交流电源电压比较图。如 图所示，每一发光二极管微晶粒101 114均具有一启动电压Vs及一可承受逆电压Vd，该 些发光二极管微晶粒101 114的启动电压Vs及可承受逆电压Vd致使第一组发光二极管 及第二组发光二极管具有一整体启动电压Vs’及一整体可承受逆电压Vd’。其中，第一组、 第二组发光二极管所具有的整体启动电压Vs’低于交流电源的峰值超过一默认值Vx，且第 一组、第二组发光二极管所具有的整体可承受逆电压Vd’高于交流电源的峰值Vp，由此，便 能提升整体的功率因素(Power Factor)，亦即，当交流电源不稳定时，因第一组、第二组发 光二极管所具有的整体启动电压Vs’远低于交流电源的峰值(低于交流电源的峰值超过 一默认值Vx)，所以每一被点亮的发光二极管微晶粒上的电压仍保持大于启动电压Vs，而不会有闪烁的现像产生，且因第一组、第二组发光二极管所具有的整体可承受逆电压Vd’高 于交流电源的峰值Vp，所以每一未被点亮的发光二极管微晶粒亦不至于因逆电压过高而烧毁。本专利技术另外提供一种防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，请先参考图4。如 图所示，发光二极管2包含有十二颗发光二极管微晶粒201 212，以及一交流电源接收端 100，该些十二颗发光二极管微晶粒201 212及交流电源接收端100整合于同一封装结构 的芯片3上。如图4(a)所示，发光二极管微晶粒201、发光二极管微晶粒203、发光二极管微晶 粒204、发光二极管微晶粒206、发光二极管微晶粒205、发光二极管微晶粒207、发光二极管 微晶粒208、发光二极管微晶粒210、发光二极管微晶粒209、发光二极管微晶粒211串联组 成第三组发光二极管21。如图4(b)所示，发光二极管微晶粒212、发光二极管微晶粒210、发光二极管微晶 粒209、发光二极管微晶粒207、发光二极管微晶粒208、发光二极管微晶粒206、发光二极管 微晶粒205、发光二极管微晶粒203、发光二极管微晶粒204、发光二极管微晶粒202串联组 成第四组发光二极管22。交流电源接收端100含有一第一交流电源接收端1001及一第二 交流电源接收端1002，交流电源接收端100连接至市电以接收一交流电源10。交本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，包括：一交流电源接收端，用以接收一交流电源，其包含有一正周期电源、及一负周期电源；一第一组发光二极管，于该交流电源的正周期电源被导通，于该交流电源的负周期电源被关闭；以及一第二组发光二极管，于该交流电源的负周期电源被导通，于该交流电源的正周期电源被关闭；其中，每一该第一组发光二极管及该第二组发光二极管包含有复数个发光二极管微晶粒，每一发光二极管微晶粒具有一启动电压及一可承受逆电压，致使每一该第一组发光二极管及该第二组发光二极管所具有的整体启动电压低于该交流电源的峰值超过一默认值，且每一该第一组发光二极管及该第二组发光二极管所具有的整体可承受逆电压高于该交流电源的峰值，进而提升功率因素。

【技术特征摘要】
一种防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，包括一交流电源接收端，用以接收一交流电源，其包含有一正周期电源、及一负周期电源；一第一组发光二极管，于该交流电源的正周期电源被导通，于该交流电源的负周期电源被关闭；以及一第二组发光二极管，于该交流电源的负周期电源被导通，于该交流电源的正周期电源被关闭；其中，每一该第一组发光二极管及该第二组发光二极管包含有复数个发光二极管微晶粒，每一发光二极管微晶粒具有一启动电压及一可承受逆电压，致使每一该第一组发光二极管及该第二组发光二极管所具有的整体启动电压低于该交流电源的峰值超过一默认值，且每一该第一组发光二极管及该第二组发光二极管所具有的整体可承受逆电压高于该交流电源的峰值，进而提升功率因素。2.如权利要求1所述的防止谐波与频闪产生的交流发光二极管，其中，该交流...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝培轩，陈瑞鸿，杨仁华，蓝钰邴，
申请(专利权)人：福华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]