【技术实现步骤摘要】
本技术涉及高压功率半导体器件领域，是关于一种适用于高压应用的提高电 流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件。
技术介绍
随着人们对现代化生活需求的日益增强，功率半导体器件的性能越来越受到关 注，其中功率半导体器件的可集成性、高耐压、大电流和与低压电路部分的良好的隔离能力 是人们最大的技术要求。决定功率集成电路处理高电压、大电流能力大小的因素除了功率 半导体器件的种类以外，功率半导体器件的结构和制造工艺也是重要的影响因素。长久以来，人们采用的功率半导体器件为高压三级管和高压绝缘栅场效应晶体 管。这两种器件在满足人们基本的高耐压和可集成性的需求的同时，也给功率集成电路带 来了许多的负面影响。对于高压三级管，它的不足有输入阻抗很低，开关速度不高。尽管高 压绝缘栅场效应晶体管的输入阻抗非常高，但是电流驱动能力有限，除此之外，它的高耐压 和高的导通阻抗呈现出不可避免的矛盾。随着科学技术的发展，绝缘栅双极型器件的出现解决了人们对功率半导体器件的 大部分需求。绝缘栅双极型器件集合了高压三极管和绝缘栅场效应晶体管的优势，具有高 的输入阻抗、高的开关速度、高耐压、大的电流驱动能力和...
【技术保护点】
一种提高电流密度的绝缘体上硅Ｐ型半导体组合器件，包括：Ｎ型衬底（１），在Ｎ型衬底（１）上设有埋氧层（２），其特征在于，在埋氧层（２）中央设有Ｎ型深阱（１４），在Ｎ型深阱（１４）上设有Ｎ型体接触区（１２）和Ｐ型源区（１１）且在Ｎ型体接触区（１２）和Ｐ型源区（１１）上设有连通二者的源极金属（７２），在埋氧层（２）上还设有第一隔离区（１０１）和第二隔离区（１０２），由所述的第一隔离区（１０１）和第二隔离区（１０２）向埋氧层（２）中心延伸并由此分割形成绝缘栅双极型器件区（Ｉ）和高压三极管区（Ⅱ），在绝缘栅双极型器件区（Ｉ）内设有绝缘栅双极型器件，所述的绝缘栅双极型器件中的源区采用所...
【技术特征摘要】
1.一种提高电流密度的绝缘体上硅P型半导体组合器件，包括N型衬底(1)，在N型衬 底⑴上设有埋氧层O)，其特征在于，在埋氧层⑵中央设有N型深阱(14)，在N型深阱 (14)上设有N型体接触区(1 和P型源区(11)且在N型体接触区(1 和P型源区(11) 上设有连通二者的源极金属(72)，在埋氧层( 上还设有第一隔离区(101)和第二隔离区 (102)，由所述的第一隔离区(101)和第二隔离区(102)向埋氧层O)中心延伸并由此分割 形成绝缘栅双极型器件区(I)和高压三极管区(II)，在绝缘栅双极型器件区(I)内设有绝 缘栅双极型器...
【专利技术属性】
技术研发人员：钱钦松，孙虎，孙伟锋，苏展，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：实用新型
国别省市：32
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