温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种提高电流密度的绝缘体上硅Ｐ型半导体组合器件，包括：Ｎ型衬底，在Ｎ型衬底上设埋氧层，在埋氧层上设Ｎ型外延层且Ｎ型外延层被分割成区域Ｉ和ＩＩ，其中Ｉ区为绝缘栅双极型器件区，包括：Ｐ型漂移区、Ｎ型深阱、Ｐ型缓冲阱、Ｎ型漏区、Ｐ型源区和Ｎ型体接...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。