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发光装置的封装结构制造方法及图纸

技术编号:5108919 阅读:165 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术提供一种发光装置的封装结构,包括:基座,包括:基板;至少一发光二极管,设于该基板上;及用以覆盖及保护该至少一发光二极管的第一透明树脂;波长转换组件,包括:透明体;荧光体层,涂布于透明体的底面上,当波长转换组件与基座结合时,荧光体层介于基板与透明体间;及一支撑部,设置于基座与波长转换组件之间,且围绕着至少一发光二极管,支撑部用以支撑波长转换组件,并维持荧光体层与第一透明树脂的表面间的间隙;在支撑部形成多个贯孔。藉由基座与波长转换组件的分别制作,再行结合形成发光装置,可消除因透明体或荧光体层的制作不良而引起整个基座的报废。此外,支撑部形成的多个贯孔可降低发光二极管的温度。(*该技术在2019年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种内有发光二极管的发光装置的封装结构
技术介绍
图1A为现有发光二极管装置的俯视图。图1B为图1A所示的现有发光 二极管装置的剖面图。参照图1B,现有的发光二极管装置是利用层层相迭的 方式所制。例如,在基板101上设有多个发光二极管102,并于基板101上绕 着多个发光二极管102而形成一局束部103,如图1A所示。接着,以含有荧 光材料的透光树脂层104覆盖多个发光二极管102,且填满局束部103所围的 区域。然后,在透光树脂层104上设置一透明体105,并使透光树脂层104与 透明体105层迭接触。当发光二极管102通电发光时,透光树脂层104中的荧 光材料会受发光二极管102的部分光的激发而发出异于发光二极管102的光波 长的光。然而,因为透光树脂层104中的焚光材料具有较大的比重,所以经常会随 着时间而逐渐沉至局束部103所围的区域的底部,即靠近基板101的表面,进 而影响该发光装置的发光效率及光学表现。为解决此问题,必须在透光树脂层 104中使用较多量的荧光材料,以取得所期望的光转换效果。此外,现有的发 光二极管装置利用层层相迭的方式所制造而成,若于涂布内含有荧光材料的透 光树脂层104时发生失误的话,往往会造成整个基板101及发光二极管102 的报废,因而提高损耗成本。再者,现有的发光二极管装置也因层层相迭的结构,而于该发光装置运作 时,发光二极管102因发光所产生的热未能有效地散除,而易让透光树脂层 104中的荧光材料受热变质,进而影响该发光装置的发光效率及光学表现。因 此,在现有发光二极管装置中,必须使用可耐高温的昂贵荧光材料,才可延长 发光二极管装置的使用寿命,故无法降低其制造成本。
技术实现思路
综合上述原因,需提供一可降低成本及改善散热问题的发光装置结构。兹 提供一种发光装置的封装结构,该封装结构包括可分离的基座与波长转换组件。基座,包括 一基板;至少一发光二极管,设于该基板上;及第一透明树 脂,用以覆盖及保护该至少一发光二极管; 一波长转换组件,包括 一透明体; 及一荧光体层,涂布于该透明体的底面上,其中当该波长转换组件与该基座结 合时,该荧光体层介于该基板与该透明体间,于该至少一发光二极管发光时, 该荧光体层受该至少一发光二极管的部分光的激发,而发出异于该至少一发光 二极管的光波长的光;及一支撑部,设置于该基座与该波长转换组件之间,且 围绕着该至少一发光二极管,该支撑部用以支撑该波长转换组件,并维持该荧 光体层与该第一透明树脂的表面间的间隙;其中在该支撑部形成多个贯孔,该多个贯孔用以在该波长转换组件与该基座结合后,于该发光装置运作时,使该 荧光体层及该第 一透明树脂的表面间的间隙与外界环境相通而产生对流,进而 降低该至少 一发光二极管的温度。其中该间隙介于0.3mm至l.Omm间。其中该透明体的该底面更包括一 凹口部,用以填塞该荧光体层。 其中该透明体为半球体、任何凸形表面体或平坦表面体。 其中第一透明树脂的厚度不超过0.3mm。 与现有技术相比,本技术具有以下有益效果本技术藉由基座与波长转换组件的分别制作,再行结合形成发光装 置,可消除因透明体或荧光体层的制作不良而引起整个基座的报废,从而避免 不必要的成本浪费。此外,本技术的支撑部形成的多个贯孔,使荧光体层 与第 一透明树脂的表面间的间隙与外界环境相通并产生对流,进而降低该至少 一发光二极管的温度。附图说明本技术将可藉由上述详细说明及随附的相对应图式而容易理解,且相 似的参照数字代表相似的结构组件。图1A为现有发光二极管的发光装置的俯视图。图1B为图1A所示的现有发光二极管装置的剖面图。图2A为依据本专利技术的一实施例的发光装置基座的横剖面视图。图2B为图2A的俯^L图。图2C为图2A所述的结构设有贯孔时的俯^L图。 图3为依据本专利技术的一实施例的波长转换组件的横剖面视图。 图4为封装横剖面视图,显示依据本专利技术的一实施例使图2C所绘的基座 与图3所绘的波长转换组件结合。图5为依据本专利技术的另一实施例的封装横剖面视图。 组件符号简单说明101基板102发光二极管103局束部104透光树脂层105透明体200基座202基板204发光二极管209支撑部211第一透明树脂213贯孔300波长转换组件301底面302荧光体层306透明体具体实施方式本技术的实施例将参考随附图式来说明。在阅读详细说明时,可同 时参考随附图式,且该图式亦视作该详细说明的一部分。5图2A偎依据本专利技术的一实施例的发光装置基座200的横剖面视图。图2B 为图2A所示的发光装置基座200的俯视图。基板202可为半导体、金属、陶 瓷或金属基复合材料。在基板202之上设有多个发光二极管204。在此实施例 中,如图2B所示,于基板202上的多个发光二极管204周遭设有支撑部209。 需注意的是,本实施例中所用的支撑部209为圓环形结构,但事实上可不限于 此。接着,在多个发光二极管204上覆设第一透明树脂211,且其厚度约为 0.3mm。第一透明树脂211用以保护多个发光二极管204,使这些发光二极管 与空气隔绝,不受任何气体与水气污染和腐蚀。于涂布第一透明树脂211时, 支撑部209可作为 一局限边界,其用以防止第 一透明树脂21 l溢出预定的范围。 于第一透明树脂211固化后,如图2C所示,可于支撑部209上设置多个平行 于基板202表面的贯孔213,例如4个,但事实上可不限于此。图3为依据本专利技术的一实施例的波长转换组件300的横剖面视图。波长转 换组件300包括一透明体306。需注意的是,本实施例中所用的透明体306, 其形状为半球体,但事实上可不限于此。该透明体也可为任何凸形表面体或平 坦表面体。在透明体306的底面301上涂有荧光体层302。如此,相较于图1B 所示的发光二极管装置,仅需使用较少量荧光体便能使全部的涂布区达到预期 的厚度及均匀度,而减少荧光体的浪费。图4为封装横剖面视图,显示依据本专利技术的一实施例使图2C所绘的基座 200与图3所绘的波长转换组件300结合。当基座200与波长转换组件300结 合时,支撑部209可用以支撑波长转换组件300,而维持荧光体层302与第一 透明树脂211的表面间的间隙。该间隙最好介于0.3mm至l.Omm之间。于多 个发光二极管204通电发光时,荧光体层302会受这些发光二极管的部分光的 激发而发出异于这些发光二极管的光波长的光。于发光装置(基座200与波长 转换组件300的结合体)运作时,支撑部209上的贯孔213可使荧光体层302 及第一透明树脂211间的间隙与外界环境相通而产生对流,如此可使多个发光 二极管204所产生的热利用对流而传递至外界,进而降低多个发光二极管204 的温度。图5为依据本专利技术的另一实施例的封装横剖面视图。与图 的封装图的差 异在于图5的透明体306的底面301具有一凹口部。焚光体层302填塞于该凹口部中,如此可更精确控制荧光体层302的厚度及均匀度。以上所述仅是本技术的优选实施方式,应当指出,对于本
的 普通技术人员来说,在不脱离本技术原理的前提下,还可以作出若干改进 和润饰,这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种发光装置的封装结构,其特征在于,包括: 一基座,包括: 一基板; 至少一发光二极管,设于该基板上;及 用以覆盖及保护该至少一发光二极管的第一透明树脂; 一波长转换组件,包括: 一透明体;及 一荧 光体层,涂布于该透明体的底面上, 其中当该波长转换组件与该基座结合时,该荧光体层介于该基板与该透明体间,于该至少一发光二极管发光时,该荧光体层受该至少一发光二极管的部分光的激发,而发出异于该至少一发光二极管的光波长的光;及 一支 撑部,设置于该基座与该波长转换组件之间,且围绕着该至少一发光二极管,该支撑部用以支撑该波长转换组件,并维持该荧光体层与该第一透明树脂的表面间的间隙; 其中在该支撑部形成多个贯孔,该多个贯孔用以在该波长转换组件与该基座结合后,于该发光装 置运作时,使该荧光体层及该第一透明树脂的表面间的间隙与外界环境相通而产生对流,进而降低该至少一发光二极管的温度。

【技术特征摘要】
1.一种发光装置的封装结构,其特征在于,包括一基座,包括一基板;至少一发光二极管,设于该基板上;及用以覆盖及保护该至少一发光二极管的第一透明树脂;一波长转换组件,包括一透明体;及一荧光体层,涂布于该透明体的底面上,其中当该波长转换组件与该基座结合时,该荧光体层介于该基板与该透明体间,于该至少一发光二极管发光时,该荧光体层受该至少一发光二极管的部分光的激发,而发出异于该至少一发光二极管的光波长的光;及一支撑部,设置于该基座与该波长转换组件之间,且围绕着该至少一发光二极管,该支撑部用以支撑该波长转换组件,并维持该荧光体层与该第一透明树脂的表面间的间隙;其中在该支撑部形成多个贯孔,该...

【专利技术属性】
技术研发人员:张文周
申请(专利权)人:张文周
类型:实用新型
国别省市:71[]

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