包括封装基底和通孔内的导电体的电子器件及其形成工艺制造技术

本公开涉及包括封装基底和通孔内的导电体的电子器件及其形成工艺。一种电子器件能够包括封装基底，所述封装基底包括有机材料和延伸进该封装基底中的孔。导电构件能够包括在孔内的通孔，以及沿封装基底的主表面放置的引线并且被电连接到通孔的引线。在实施方式中，导电材料能够被电镀、印刷、或者以其他方式在有机材料内或上形成，并且引线框和围绕该引线框的模塑料的相应形成是不必要的。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及电子器件和形成电子器件的工艺，并且更具体地涉及包括具有在通孔 内的导电体的封装基底的电子器件以及形成该电子器件的工艺。
技术介绍
被封装的半导体器件能够使用封装工艺形成，在所述封装工艺中含金属的引线框 是形成塑料基底(如果形成)的起始原料。更具体地说，引线框能够包括被引线框的其他 部分保持在适当的位置上的引线。因此，所有引线都在所述工艺的早期被相互电连接。将 引线框连接到带上，并且模塑料能够在引线和引线框的其他区域之间的空隙或其他开口中 形成。所述带能够在模塑料变硬之后被移除。将引线相互连接的引线框的部分可在模塑料 被形成之后移除。管芯能够被附接到金属引线框的一部分，并且其焊垫能够被线焊到引线 框的引线。模塑料能够在引线、管芯和焊线(Wire bonds)上形成。随后的操作能用来切单 (singulate)半导体器件，使得它能够被测试和出售。一般来说，引线框的一部分将在切单 操作期间被锯切割。图1包括被封装的半导体器件10的横截面视图的图示。该器件包括封装基底110， 其包括了引线框。引线框Iio包括由通孔114电连接的引线112。焊接掩模在未形成焊接 的位置处覆盖在封装表面上。这些引线可用不同的含金属的化合物被电镀，使得与引线框 内的材料相比，随后连接的导线更好地粘附到电镀材料。钝化层118在引线112的一部分 上形成，并且更具体地是在通孔114上形成。管芯120使用粘附化合物116被附接到封装 基底110。焊线122将管芯120的焊垫电连接到引线112。注意，在引线112处的焊线连 接从通孔114横向偏移。用密封剂140将管芯120和线122密封。焊接球被附接到沿封装 基底110的底部引线112的引线上。被封装的半导体器件10 —般是在相同的封装操作期 间被处理的若干半导体器件中的一个。一般使用锯来将半导体器件切单成单独的半导体器 件。该锯一般切穿封装基底110和引线框的部分(未示出)。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，提供一种形成电子器件的工艺，包括提供封装基底，所 述封装基底包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，其中所述封装基底包 括相应于被封装的半导体器件的区域的第一单元，并且在所述第一单元内，所述封装基底 的第一主表面实际上没有导电体；由所述第一主表面形成第一孔，并且延伸进所述封装基 底中；以及形成导电材料，所述导电材料包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分包括 在所述第一孔内的第一通孔，并且所述第二部分包括第一引线，所述第一引线沿所述封装 基底的第一主表面放置并且位于所述第一通孔之上并被电连接到所述第一通孔。根据本公开的另一方面，提供一种电子器件，包括封装基底，其包括第一主表面 和与所述第一主表面相反的第二主表面，其中所述封装基底还包括塑料基体材料，其具有 在其中的第一孔，其中所述第一孔从所述第一主表面延伸进所述封装基体材料中；第一通孔，其在所述第一孔内；以及第一引线，其沿所述封装基底的第一主表面放置并且被电连接 到所述第一通孔。电子器件还包括管芯，其被附接到所述封装基底，其中所述管芯包括焊 垫；以及电连接，其在所述焊垫和所述第一引线之间，其中所述电连接被附接到正好在所述 第一通孔上的所述第一引线。根据本公开的又一方面，提供一种电子器件，包括封装基底，其包括有机材料， 其包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面；第一孔，其从所述主表面开始 并延伸进所述有机材料中；电镀导体，其包括电镀材料。其中所述电镀导体包括第一通 孔，其在所述第一孔内，其中所述电镀材料实质上填充所述孔；以及第一引线，其沿所述封 装基底的所述第一主表面放置，并且被电连接到所述第一通孔。附图说明实施方式作为例子被示出，并且不被限制在附图中。图1包括被封装的半导体器件的横截面视图的图示。(现有技术)图2包括能够用在形成被封装的半导体器件中的材料板的顶视图的图示。图3包括在产生索引并在板内用工具加工孔之后的图2的板的图示。图4包括在通孔的孔在板内形成之后的图3的板的展开图的图示。图5包括在孔内和在板的主表面的部分上形成导电材料之后的图4的板的顶视图 的图示。图6包括在将管芯连接到板并且在管芯与引线之间产生电连接之后的图5的板的 顶视图的图示。图7包括在将管芯和引线密封之后的图6的板的顶视图的图示。图8和9分别包括被封装的半导体器件的顶视图和底视图的图示。图10和11包括根据其他实施方式的被封装的半导体器件的横截面视图的图示。图12包括根据另一个实施方式的在通孔的孔在板内形成之后的图3的板的展开 图。图13包括在孔内和在板的主表面的部分上形成导电材料之后的图12的板的顶视 图的图示。图14包括在将管芯连接到板并且在管芯与引线之间产生电连接之后的图13的 板的顶视图的图示。图15和16分别包括被封装的半导体器件的顶视图和底视图的图示。图17包括根据另一个实施方式的被封装的半导体器件的横截面视图的图示。熟练的技术人员认识到，图中的元件是出于简单和清楚的目的而被示出的，并且 不一定按比例绘制。例如，图中的一些元件的尺寸可相对于其他元件被放大，以帮助提高对 本专利技术实施方式的理解。具体实施例方式结合附图的以下描述被提供以帮助理解此处所公开的教导。以下讨论将集中于这 些教导的具体实现和实施方式。该集中被提供以帮助描述这些教导，并且不应被解释为对 这些教导的范围或适用性的限制。术语“包括(comprises)”、“包括(comprising)”、包括(includes)、“包括 (includes) ”、“具有(has) ”、“具有(having) ”或任何其它变形旨在涵盖非排他性的包括。 例如，包括特征列表的方法、物品或者装置不一定仅被限制到这些特征，而是可以包括未被 明确列出的或者这样的方法、物品或者装置所固有的其他特征。另外，除非相反地明确说 明，“或”指的是包括的或而不是排他性的或。例如，条件A或B由下列项中的任何一个满 足:A为真(或存在)且B为假(或不存在)，A为假(或不存在)且B为真(或存在)，以 及A和B都为真(或存在)。此外，“一 (a) ”或“一 (an) ”的使用被利用来描述此处所描述的元件和组件。这样 做仅仅是为了方便起见并给出本专利技术的范围的一般含义。除非很清楚有其他意义，该描述 应当被理解为包括一个或至少一个，并且单数也包括复数，反之亦然。例如，当此处描述单 个项时，可使用多于一个的项来代替单个项。相类似地，在此处描述多于一个的项的场合， 可以用单个项代替多于一个的项。除非另有规定，此处使用的所有技术和科学术语具有与本专利技术所属领域中普通技 术人员通常理解的相同的含义。材料、方法和例子仅是说明性的，并且没有被规定为限制性 的。在此处未描述的程度上，关于具体材料和处理行动的很多细节是常规的，并且可在半导 体和电子技术内的教课书或者其他来源中找到。图2包括适合于用在封装基底中的材料的板200的顶视图。板的部分将变成用于 半导体器件的封装基底。板200能够包括塑料材料，并且在一个实施方式中，能够包括丙烯 腈丁二烯苯乙烯(“ABS”)、聚碳酸酯、聚酰胺、聚丙烯、聚邻苯二甲酰胺、聚酯、聚丙烯酰胺、 聚甲醛、聚苯醚、聚醚、含氟聚合物、环氧树脂模塑料、或者其任何组合。在特定实施方式中，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成电子器件的工艺，包括：提供封装基底，所述封装基底包括第一主表面和与所述第一主表面相反的第二主表面，其中所述封装基底包括相应于被封装的半导体器件的区域的第一单元，并且在所述第一单元内，所述封装基底的第一主表面实际上没有导电体；由所述第一主表面形成第一孔，并且延伸进所述封装基底中；以及形成导电材料，所述导电材料包括第一部分和第二部分，其中所述第一部分包括在所述第一孔内的第一通孔，并且所述第二部分包括第一引线，所述第一引线沿所述封装基底的第一主表面放置并且位于所述第一通孔之上并被电连接到所述第一通孔。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：SSH泰，WY桑，A普拉扎卡莫，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]