【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及。
技术介绍
环境保护是目前世界各国面临的重要课题之一。采用清洁能源代替传统能源，可 以改善居住环境，提高环境质量，是一项重要的环保措施。太阳能电池直接利用光能转化成 电能，在能量转化的过程中不产生污染物，是一种新型的清洁能源。而结合不断发展的半导 体制造技术，也出现了基于硅制造太阳能电池的技术。例如，在中国专利95104877. 5中就 提供了一种，其基于P型半导体衬底制造太阳能电池。在太阳能电池制造技术的发展过程中，为了降低太阳能电池对光的反射以提高太 阳能电池的光利用率，在制造太阳能电池的工艺中已加入形成抗反射层的步骤。例如，现有 技术的一种，其制造过程主要包括酸或碱蚀刻形成绒面、硅片清洗、 离子扩散、形成抗反射层、丝网印刷上浆、高温烧结等步骤。其中，酸或碱蚀刻逊尼光程绒面 的步骤是为了形成粗糙的表面以提高太阳能电池的光利用率，离子扩散的步骤是为了在硅 片中形成PN结，而形成抗反射层的步骤如前所述是为了降低太阳能电池对光的反射率。上述举例的现有技术通过形成抗反射层一定程度上改善 了太阳能电池对光的反射(其反射率在16...
【技术保护点】
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括在硅片的受光面形成ＰＮ结，所述形成ＰＮ结的过程包括：在硅片受光面形成粗糙的多晶硅层；对具有所述粗糙的多晶硅层的硅片的受光面进行离子扩散，以及，保留离子扩散过程中形成的钝化反应物。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：涂火金，沈忆华，朱虹，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31
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