【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳电池，尤其涉及一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工 艺。
技术介绍
太阳电池作为新兴的清洁可再生能源，因具有直接将太阳能转换为电能，且寿命 长、维护简单、可实现无人值守等优势而备受瞩目。太阳能电源系统取得了越来越广泛的应用。在太阳电池的制造过程中，一般利用PECVD (增强等离子体化学气相沉积)设备在 硅片表面制备氮化硅(Si3N4)减反射膜。平板式微波PECVD采用硅烷(SiH4)和氨气(NH3) 作为反应气体，微波激发等离子体反应生成氮化硅减反射膜。在硅烷和氨气反应过程中，除了在硅片表面生成氮化硅外，还会在反应腔室的其 他部位包括出气口生成氮化硅，在长时间生产后，这些氮化硅会呈块状沉淀在腔室和出气 口的内壁，堵塞硅烷和氨气的出气口，从而影响工艺效果。这了解决这一问题，通常采取物理的手段，使用工具敲击去除该部分氮化硅。但 是，由于出气口较小，清除并不彻底。
技术实现思路
本专利技术的目的，就是为了解决上述问题，提供一种太阳电池的增强等离子体化学 气相沉积工艺。为了达到上述目的，本专利技术采用了以下技术方案一种太阳电池的增强等离子体 化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于平板式微波增强等离子体化学气相沉积设 备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和氨气，通过微波激发等离 子体在硅片表面反应生成氮化硅减反射膜；其特点是，在硅烷和氨气通入30min 45min 后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟化氮气体。本专利技术的太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺由于在硅烷和氨气通入 30min 4...
【技术保护点】
一种太阳电池的增强等离子体化学气相沉积工艺，是将硅片载于反应舟中置于平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备内，向平板式微波增强等离子体化学气相沉积设备通入硅烷和氨气，通过微波激发等离子体在硅片表面反应生成氮化硅减反射膜；其特征在于：在硅烷和氨气通入３０ｍｉｎ～４５ｍｉｎ后，停止通入硅烷和氨气，改为通入与硅烷和氨气气体体积总量相同的三氟化氮气体。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张忠卫，许卓，
申请(专利权)人：上海太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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