【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路布图设计领域，尤其涉及一种多晶硅线、应用所述多晶硅 线的半导体器件以及存储器电路。
技术介绍
在存储器电路中，多采用场效应晶体管(MOSFET)作为存储单元的选通管，选 通管的栅极通常与字线连接，字线通过栅极控制存储单元的选中、读写操作。存储器电 路在实际生产制造中，字线采用多晶硅材质，因此也可以称为“多晶硅线”，所述多晶 硅线通过接触孔与场效应晶体管的栅极相连，将各存储单元的选通管栅极引出。如图1所示，为现有的存储器电路中多晶硅线的结构示意图。由于存储器电路 中需要若干字线各自连接一列存储单元，以对应不同的存储地址，因此在布图时，存储 器阵列区10内也形成若干条多晶硅线100分别引出不同列的场效应晶体管的栅极101，所 述各列多晶硅线100平行设置，其中需要连接外围电路区20的多晶硅线100则自存储器 阵列区10延伸出与外围电路区20电连接。图1中仅以示意，并未显示多晶硅线100在 外围电路区20中的具体布线。另外，相邻的多晶硅线100之间通过介质层隔离。在存储器电路中为了降低字线上的阻抗，也即降低多晶硅线100的电阻，通常 在多晶硅线的...
【技术保护点】
一种多晶硅线，其特征在于，包括：形成于第一电路区上的多晶硅线第一部分；由所述多晶硅线第一部分向第一电路区外延伸，并且与第二电路区连接的多晶硅线第二部分；所述多晶硅线第二部分的线宽大于多晶硅线第一部分的线宽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李志国，杨帆，蒙飞，林竞尧，王培仁，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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