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本发明涉及多晶硅线、半导体器件以及存储器电路，其中，多晶硅线包括：形成于第一电路区上的多晶硅线第一部分；由所述多晶硅线第一部分向第一电路区外延伸，并且与第二电路区连接的多晶硅线第二部分；所述多晶硅线第二部分的线宽大于多晶硅线第一部分的线宽。...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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