【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体领域，尤其是一种。
技术介绍
在集成电路制造领域，逻辑产品需要制作铝制垫片，用于后端测试时作为探针卡 连接的测试端和芯片封装引脚的焊接点，所以铝垫对于产品测试时信号传送和使用都起着 很重要的作用。现有的铝垫制造工艺，参考图1A，首先提供半导体基底，该半导体基底上形成有铝 垫基座102，铝垫基座102上形成介质层101，所述铝垫基座102可以是铜互连层，介质层 101可以是氧化硅，刻蚀介质层101露出铝垫基座102，形成用于沉积铝垫的凹槽。在铝沉 积之前，需要对于凹槽内铝垫基座102和凹槽侧壁的介质层101上由于蚀刻工艺带来的残 留物103进行预清洁，以保证凹槽内铝垫基座102和凹槽侧壁介质层101的洁净，使得后续 工艺不受影响。现有采用的是氩(Ar)离子104轰击的物理方式进行清洗，如图IB所示，铝 垫基座102为铜制电路而凹槽侧壁材料为氧化硅，当氩离子104由上垂直向下轰击铝垫基 座102时，可将之前蚀刻工艺残留在底部上的残留物溅射出去。但上述的物理清洗方式引起了其它新问题，参考图IC首先，氩离子104轰击铝垫 基座102底部使得铜制底部...
【技术保护点】
一种铝垫的制作方法，首先提供已形成铝垫基座和介质层的晶片，蚀刻介质层露出铝垫基座形成用于沉积铝垫的凹槽；对凹槽槽底的铝垫基座和凹槽侧壁的介质层进行预清洁；沉积阻挡层；在凹槽内沉积铝；其特征在于：所述预清洁为使用化学清洗方式从所述铝垫基座上方进行清洗。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：何伟业，聂佳相，刘盛，杨瑞鹏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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