【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造技术，特别涉及一种。
技术介绍
在半导体器件的制程中，常常需要在半导体器件上制作测试结构，该测试结构的 布线方向和该半导体器件上的布线方向相同，以便对半导体器件的电特性、关键尺寸(CD) 以及厚度等进行测试。在对半导体器件的测试结构检测时，首先，对半导体器件进行裂片， 也就是沿着半导体器器件的布线方向解离半导体器件，得到劈裂面；然后对劈裂面采用扫 描电子显微镜(SEM)检测，得到测试结果。在对半导体器件进行裂片时，采用机械方式损伤该半导体器件上的布线方向的边 缘后，沿着损伤方向解离半导体器件得到劈裂面。目前，常常采用晶体平面为密勒符号(100)的半导体器件，定位槽的取向为<110> 方向，密勒符号表示半导体器件的晶向。当对该半导体器件采用机械方式进行裂片时，则劈 裂面是垂直或平行于半导体器件的测试结构的，也就是垂直于或平行于定位槽取向<110>。 但是，对于晶体平面为密勒符号(100)的半导体器件，除了定位槽的取向为<110>方向外， 还有定位槽的取向为<100>方向的半导体器件，如果采用...
【技术保护点】
一种检测半导体器件的测试结构的方法，适用于定位槽取向为＜１００＞方向的半导体器件，包括：在定位槽取向为＜１００＞方向的半导体器件上生长测试结构，生长的测试结构和该半导体器件的布线方向的夹角成４５度；对该半导体器件采用机械方式进行裂片，得到劈裂面；对劈裂面采用ＳＥＭ进行检测，得到检测数据。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：苏凤莲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。