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本发明公开了一种检测半导体器件的测试结构的方法,适用于定位槽取向为(100)方向的半导体器件,包括:在定位槽取向为(100)方向的半导体器件上生长测试结构,生长的测试结构和该半导体器件的布线方向的夹角成45度;对该半导体器件采用机械方式进行...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种检测半导体器件的测试结构的方法,适用于定位槽取向为(100)方向的半导体器件,包括:在定位槽取向为(100)方向的半导体器件上生长测试结构,生长的测试结构和该半导体器件的布线方向的夹角成45度;对该半导体器件采用机械方式进行...