相变存储器装置和控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种相变存储器装置，包括：多个相变存储器单元，每一个单元均包括在第一电极（４４）和第二电极（４２）之间导电连接的相变材料（５０），所述第一电极和所述第二电极用于在所述相变存储器装置的编程周期内向所述相变材料施加具有预定极性的复位电流脉冲；以及控制器（７０），与所述第一电极和所述第二电极相连，用于在向相应单元施加第一数量的编程周期之后，对在下一个编程周期向所述相应单元施加的复位电流脉冲的极性进行反转。本发明专利技术还涉及用于控制这种存储器装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括多个相变存储器单元的相变存储器装置，每一个单元包括在 第一电极和第二电极之间导电连接的相变材料，所述第一电极和所述第二电极用于向所述 相变材料施加具有预定极性的复位电流脉冲。本专利技术还涉及控制这种相变存储器的方法。
技术介绍
由于相变存储器(PCM)装置不要求持久电源就能够保持数据，相变存储器装置在 半导体领域吸引了相当多的注意力。这使得PCM装置比得上广泛采用的闪速存储器装置。 然而，因为PCM装置与闪速存储器装置相比具有较好的切换速度，普遍认为PCM装置更加具 有吸引力，因为更高的切换速度将准许包括这种PCM装置或者存取这种PCM装置的集成电 路处理性能的提高。图1示出了 PCM单元10的示意性表示。所述PCM单元10典型地包括二极管元件 12，所述二极管元件可以使用一个或多个使能晶体管来实现，所述使能晶体与字线20和位 线30之间的可变电阻器14串联连接。所述可变电阻器包括硫族元素材料，所述硫族元素 材料可以在非晶态和结晶态之间切换，具有表现出不同本征电阻系数的两个状态。在包括PCM单元的存储器装置的读取模式下，通过确定流过所述PCM单元的电流 的幅度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种相变存储器装置，包括：　　多个相变存储器单元，每一个单元均包括在第一电极（４４）和第二电极（４２）之间导电连接的相变材料（５０），所述第一电极和所述第二电极用于在所述相变存储器装置的编程周期内向所述相变材料施加具有预定极性的复位电流脉冲；以及　　控制器（７０），与所述第一电极和所述第二电极相连，用于在向相应单元施加第一数量的编程周期之后，对在下一个数量的编程周期内向所述相应单元施加的复位电流脉冲的极性进行反转。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢德维奇古克斯，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，校际微电子中心，
类型：发明
国别省市：NL