本发明专利技术提供配线基板和液晶显示装置。该配线基板中，在多列配置的衬垫中的引向衬垫的金属配线长度长的第一列衬垫和金属配线长度比第一列衬垫的第一金属配线（１０ａ）短的第二列衬垫（３０ｂ）中，第一金属配线（１０ａ）不设置在相邻的第二列衬垫（３０ｂ）之间的区域中，而是在第二列衬垫（３０ｂ）的下层区域中，以与第二列衬垫（３０ｂ）之间至少隔着第一绝缘层（２０ａ）的方式设置，当使第二列衬垫（３０ｂ）的下层区域中的第一金属配线（１０ａ）的线宽为Ｗ１，第二列衬垫（３０ｂ）的宽度为Ｗ２时，０．８≤Ｗ１／Ｗ２≤１。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及配线基板，特别是设置有多列衬垫的配线基板和具有上述配线基板的 液晶显示装置。
技术介绍
目前，为了进行窄间距的安装，配置有所谓多列的衬垫的配线基板被广泛使用。而且，随着对使用上述配线基板的电子设备进一步提出小型轻量化的要求，这些 电子设备装载的电子部件逐渐高密度化。随之对安装电子部件的基板即配线基板也相应地 要求更小的间距。(专利文献1)针对这样的要求，提出了各种技术方案。例如专利文献1中记载了如下技术在 设置有多列配置的衬垫的配线基板，衬垫和通过相邻的衬垫之间的金属配线设置在不同的 层，进而使衬垫为双重构造。下面用图23和图M加以说明。这里，图23是表示上述专利 文献1中记载的配线基板的构造的图，图M是图23的X-X线截面图。此外，图23中的“第 一列”和“第二列”分别表示多列配置的衬垫105的列名。在该专利文献1中记载的配线基板100，如图23所示，多列配置的衬垫105中，在 第二列的衬垫105之间，设置有与第一列的衬垫105连接的金属配线101。而且，该金属配 线101如图M所示设置在与第二列的衬垫105不同的层。S卩，衬垫105在上述金属配线 101的上层隔着层间绝缘层102，设置在与金属配线101不同的层。此外，第一列和第二列的衬垫105与设置在与上述衬垫105不同的层的金属配线 101利用通孔103连接(参照图2 。在上述衬垫105的上层隔着层间绝缘层106，设置有 面积比上述衬垫105大的衬垫109，上述衬垫105与上述衬垫109利用衬垫通孔107连接 (参照图23)。S卩，以金属配线101在第一层，衬垫105在第二层，以及衬垫109在第三层的 方式分别形成在不同的层。如上所述，在上述专利文献1中记载的配线基板100，位于第二列的衬垫105之间 的金属配线101设置在与上述衬垫105、109不同的层(在金属配线101的上层设置有层间 绝缘层10 。因此，能够使相邻的第二列的衬垫109的间隔一定程度地变窄。(专利文献2)接着，以用于安装电子部件的基板即上述配线基板作为显示装置用基板使用为 例，基于专利文献2加以说明。专利文献2中记载了上述多列配置的衬垫在液晶面板中形成的结构。下面用图 25 27加以说明。这里，图25是表示上述专利文献2中记载的液晶面板的构造的图，图 26是表示图25所示的驱动ICantegrated Circuit 集成电路)的底面的构造的图，图27 是表示安装了图26所示的驱动IC的液晶面板的图。如图25所示，专利文献2中记载的液晶面板300中，直接安装有对液晶面板300 进行驱动的驱动IC400(C0G(Chip On Glass 玻璃载芯片)安装)。这里如图沈所示，在4被COG安装在液晶面板300中的上述驱动IC400的底面配置有多列凸点410。而且，在安装 了上述驱动IC400的区域中，如图27所示形成有在上述驱动IC400的底面上形成的与凸点 410对应的电极衬垫320。上述电极衬垫320与引向衬垫的连接配线即输入线310连接。专利文献1 日本公开专利公报“特开平5-29377号公报”(公开日1993年2月 5曰)专利文献2 日本公开专利公报“特开2004-252466号公报(公开日2004年9月 9 曰)，，
技术实现思路
(漏泄不良)但是，上述专利文献1中记载的结构中，存在当安装了驱动IC等电子部件时衬垫 109与金属配线101之间容易产生漏泄不良的问题。下面基于图观加以说明。图观是表 示电子部件被安装在配线基板上的状态的示意图。如图观所示，将设置在驱动IC上的凸点120隔着各向异性导电膜(ACF Anisotropic Conductive Film) 130安装到配线基板100上时，会对配线基板100施加压入 压力(图观的箭头)。而且，由于该压入压力也在衬垫109与金属配线101之间起作用，因 此衬垫109与金属配线101接触，其结果存在产生漏泄不良的情况。该衬垫109与金属配 线101的接触易产生在该间隔更窄的区域(图观的短路区域RSl)中。另外，如图观所示，特别是安装时因驱动IC的位置偏移而导致上述凸点120与衬 垫109之间产生位置偏移时，更易产生上述漏泄不良。如上所述，作为产生漏泄不良的一个情况，存在因衬垫与在相邻的衬垫之间形成 的连接配线的角部接触而造成的漏泄不良。(窄间距化)另外，为了抑制上述情况中的漏泄不良的产生，可以考虑扩展衬垫与连接配线之 间的距离。具体而言，可以考虑例如以下的结构在上述图观所示的配线基板中，扩展衬垫 109与金属配线101之间的平面方向的间隔(扩展图观所示的短路区域RSl中的衬垫109 与金属配线101之间的平面方向的间隔)。在这样的结构中，因为衬垫109与金属配线101分离，所以能够抑制上述区域RSl 中的漏泄不良的产生。但是，由于金属配线101形成在相邻的衬垫109之间，如果扩展金属配线101与衬 垫109的间隔，则其结果相邻的衬垫109之间的间隔扩展。因此，这种结构虽然能够抑制上述情况中的漏泄不良，但是相反地会产生妨碍衬 垫109的窄间距化的问题。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提供一种不易产生漏泄不良、而且 能够实现衬垫的窄间距化的配线基板和液晶显示装置。为了解决上述课题，本专利技术的配线基板，其特征在于该配线基板包括基板；和 在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线，所述衬垫被配置成多列，其中，在上述多 列配置的衬垫中的引向衬垫的连接配线的长度长的第一列衬垫和连接配线的长度比上述 第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中，与上述第一列衬垫连接的连接配线，不设置在相邻的上述第二列衬垫之间的区域中，而是以与上述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方 式设置在上述第二列衬垫的下层区域中，当使上述第二列衬垫的下层区域中与上述第一列 衬垫连接的连接配线的线宽为Wl，上述第二列衬垫的宽度为W2时，0. 8彡W1/W2 ( 1。为了解决上述课题，本专利技术的配线基板，其特征在于该配线基板包括基板；和 在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线，所述衬垫被配置成多列，在上述多列配 置的衬垫中，第一列衬垫具有的连接配线不通过相邻的第二列衬垫之间的区域，而是通过 上述第二列衬垫的下层区域、并且与上述第一列衬垫连接，在与上述第一列衬垫连接的连 接配线和上述第二列衬垫之间至少设置有绝缘层，当使上述第二列衬垫的下层区域中与上 述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为W1，上述第二列衬垫的上述线宽方向上的宽度为 W2 时，0. 8 彡 W1/W2 彡 1。根据上述的结构，在多列配置的衬垫中，在相邻的第二列衬垫之间不设置引向第 一列衬垫的连接配线，而连接配线与上述第一列衬垫连接。以配线基板作为形成有金属配线等的液晶显示装置用玻璃基板的情况为例进行 如下说明。即，例如在需要将形成在液晶显示装置用玻璃基板的中心部分的TFTCThin Film Transistor 薄膜晶体管)和驱动IC等连接的情况下，当上述IC的凸点配置为多列时，被 搭载驱动IC的衬垫中，第一列衬垫和来自上述TFT的引出线以在第二列衬垫与相邻的第二 列衬垫之间不设置连接配线的方式连接。其结果，在本专利技术的配线基板中能够抑制由于衬垫与连接配线接触而导致的漏泄 不良的产本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种配线基板，其特征在于： 该配线基板包括：基板；和在基板上形成的衬垫以及与衬垫连接的连接配线，所述衬垫被配置成多列，其中 在所述多列配置的衬垫中的引向衬垫的连接配线的长度长的第一列衬垫和连接配线的长度比所述第一列衬垫的连接配线短的第二列衬垫中，与所述第一列衬垫连接的连接配线，不设置在相邻的所述第二列衬垫之间的区域中，而是以与所述第二列衬垫之间至少隔着绝缘层的方式设置在所述第二列衬垫的下层区域中， 当使所述第二列衬垫的下层区域中与所述第一列衬垫连接的连接配线的线宽为Ｗ１，所述第二列衬垫的宽度为Ｗ２时， ０．８≤Ｗ１／Ｗ２≤１。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：松井隆司，盐田素二，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：JP
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