配线基板和电子设备制造技术

抑制了电磁噪声从配线基板中泄漏。配线基板(1)包括：多层配线层、导体的结构(8)和电磁波吸收体(5)。作为电磁噪声产生源示例的电子组件(2)安装在配线基板(1)上。电子组件(2)具有高频电路。结构(8)使用多层配线层来形成，并被布置为在平面图中围绕电子组件(2)，在该围绕中有开口(4)。电磁波吸收体(5)被布置为覆盖开口(4)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及能够抑制噪声泄漏的配线基板和电子设备。
技术介绍
以计算机等为代表的许多电子装置具有电子组件以及用于安装电子组件的配线基板。随着近来电子装置频率的提高，存在从高频电路产生的电磁噪声电磁干扰电子装置中的其它电子电路并影响电子装置操作的情况。作为抑制电磁干扰的手段，建议了这样的结构在配线基板的外围布置接地过孔(ground via),从而防止电磁噪声从配线基板的端部泄漏。在专利文献1(日本专利申请公开No. 7-263871)中，在基板外围密集地布置通孔，并通过通孔将前后表面上的导电层连接在一起。在专利文献2和3中也描述了该技术。作为抑制配线基板的电磁干扰的手段，非专利文献I和2建议了应用电磁带隙(EBG)结构的结构。EBG材料指以下结构以二维或三维方式周期性地布置电介质、金属等，以形成抑制特定频带的电磁波在该结构内或平面上传播的带隙。相关文献专利文献[专利文献I]日本专利申请公开No.7-263871[专利文献2]日本专利申请公开No.2001-068801[专利文献3]日本专利申请公开No.2005-302799非专利文献[非专利文献 I]Shahrooz Shahparnia et al, IEEE TRANSACTIONS ONELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY, VOL. 46，NO. 4，N0VEMBER2004[非专利文献2] Shawn D. Rogers, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY ANDTECHNIQUES, VOL. 53, NO. 8, AUGUST200
技术实现思路
然而，作为抑制电磁干扰的手段，在配线基板的外围布置接地过孔或EBG结构的结构是将电磁噪声限制在配线基板内的结构。限制在配线基板内的电磁噪声的能量导致从配线基板上不同位置的电磁泄漏，因而可能无法抑制电磁噪声的泄漏。本专利技术的目的是提供能够抑制电磁噪声泄漏的配线基板和电子设备。本专利技术提供了一种配线基板，包括多层配线层；使用所述多层配线层形成的结构，在所述结构中重复布置导体，以在平面图中围绕电磁噪声产生源，在所述围绕中有开口 ；以及在所述开口中布置的电磁波吸收体。本专利技术提供了一种电子设备，包括具有高频电路的电子组件，以及配线基板，所述电子组件安装在所述配线基板上，其中所述配线基板包括多层配线层，使用所述多层配线层形成的结构，在所述结构中重复布置导体，以在平面图中围绕所述电子组件，在所述围绕中有开口 ；以及被布置为覆盖所述开口的电磁波吸收体。根据本专利技术，可以抑制电磁噪声从配线基板中泄漏。附图说明根据以下实施例和附图，以上和其它目的、特征和优点将清楚。图1是示出了根据第一实施例的配线基板I的配置的图示。图2是示出了 EBG结构的单位元件的具体示例的图示。图3是示出了 EBG结构的单位元件的具体示例的图示。图4是示出了 EBG结构的单位元件的具体示例的图示。图5是示出了根据第二实施例的配线基板的配置的图示。图6是示出了根据第三实施例的配线基板的配置的图示。图7是示出了根据第四实施例的配线基板的配置的图示。图8是示出了根据第五实施例的配线基板的配置的图示。图9是示出了根据第六实施例的配线基板的配置的图示。具体实施例方式以下将参照附图描述本专利技术的实施例。在所有附图中，相同的构成元件由相同的参考数字表示，且在适当的情况下将不会重复对其的描述。(第一实施例)图1(a)是示出了根据第一实施例的配线基板I的配置的平面图，图1(b)是沿图1(a)的线A-A’得到的截面图。配线基板I包括多层配线层、导体结构8、以及电磁波吸收体5。作为电磁噪声产生源示例的电子组件2安装在配线基板I上。电子组件2具有高频电路。结构8使用多层配线层来形成，且被布置为使得在平面图中围绕电子组件2，其中在该围绕中有开口 4。电磁波吸收体5被布置为覆盖开口 4。以下将提供详细描述。例如，配线基板I是印刷配线基板，并具有如上所述的多层配线结构。例如，配线基板I具有电源层6、电源层6之下的接地层7、以及信号层10。电源层6通过过孔(未示出)与电子组件2连接，并向电子组件2供电。接地层7通过过孔(未示出)与电子组件2连接。信号层10通过过孔(未示出)与电子组件2连接，将信号输入电子组件2，并向另一电子组件2发送从电子组件2输出的信号。通过至少一个实体层(导体面)构成电源层6和接地层7。配线基板I在内层的外围中除了形成开口 4的区域之外的部分中具有EBG形成区域3。在EBG形成区域3中提供其特性如EBG的结构8。结构8在预定频带内具有阻带。成为阻带的频带包括来自作为噪声源的电子组件2的电磁噪声。尽管在矩形配线基板I的短边的中部设置开口 4，但是开口 4的位置不限于此。在该实施例中，结构8是按三行布置的EBG结构单位元件82的集合体。每个单位元件82具有在配线基板I中设置的电源层6，作为岛型导体的导体补片(patch) 19，过孔(通孔)110和接地层7。尽管单位元件82具有例如蘑菇结构，但是可以采用任意结构，只要展示如EBG的特性。结构8具有重复设置的多个单位元件82。当“重复地”布置单位元件82时，在相邻的单位元件82中，相同连接部件之间的间隔(中心间距离)优选在电磁噪声的1/2波长λ内。术语“重复”包括任意单位元件82的一部分缺失的情况。当单位元件82具有二维阵列时，术语“重复”包括单位元件82部分缺失的情况。术语“周期地”包括一些单位元件82中的构成元件的一部分未对齐的情况，或者一些单位元件82未对齐的情况。也就是说，即使在严格意义上破坏了周期性，但是在重复布置单位元件82时，由于可以获得如元材料(meta material)的特性，就“周期性”而言允许一定程度的缺失。导致缺失状态的因素是:在配线、过孔或连接部件经过单位元件82之间时，在向现有的配线布局或基板间连接结构添加元材料结构时，以及由于现有的过孔、图案或连接部件、制造误差而导致无法布置单位元件82，在将现有的过孔、图案或连接部件用作单位元件82的一部分时，等等。如上所述，在配线基板I的边缘处形成的结构8的一部分中设置开口 4。考虑电磁噪声的频率来任意确定开口 4的宽度。在开口 4中设置电磁波吸收体5。从配线基板I的前表面通过侧表面向后表面粘贴电磁波吸收体5以覆盖开口 4,电磁波吸收体5的宽度大于开口 4的宽度。作为电磁波吸收体5，考虑电磁噪声的频率和泄漏的电磁波的模式，任意选择具有大电磁噪声抑制效果的电磁波吸收体5。图2、3和4示出结构8的单位元件82的具体示例。EBG结构的单位单元不限于图2至4示出的示例。在图2所示的示例中，示出所谓蘑菇形EBG结构或类似EBG结构的单位单元82。每个单位单元82具有第一导体面201、第二导体面204和导体元件202。导体元件202是岛形导体，并通过诸如过孔之类的连接部件203与第二导体面204连接。连接部件203对应于蘑菇的杆部分，并形成电感。导体元件202对应于蘑菇头，并与第一导体面201形成电容。蘑菇形EBG结构可以通过如下等效电路来表示，在该等效电路中，第一导体面201和第二导体面204的平行平板通过具有上述电容和电感的串联谐振电路分流。串联谐振电路的谐振频率给出衰减最大的带隙本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.09.30 JP 2010-2205291.一种配线基板，包括: 多层配线层； 使用所述多层配线层形成的结构，在所述结构中重复布置导体，以在平面图中围绕电磁噪声产生源，在所述围绕中有开口 ；以及在所述开口中布置的电磁波吸收体。2.根据权利要求1所述的配线基板， 其中所述结构具有如电磁带隙(EBG)的特性。3.根据权利要求2所述的配线基板， 其中所述结构的阻带包括所述电磁噪声的频率。4.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板， 其中所述结构和所述电磁波吸收体设置在所述配线基板的边缘处。5.根据权利要求1至3中任一项所述的配线基板， 其中所述配线基板具有布置所述产生源的第一区域和安装模拟电路的第二区域，并且 所述结构和所述电磁波吸收体在平面图中围绕所述第一区域，而不围绕所述第二区域。6.根据权利要求1至5中任一项所述的配线基板， 其中构成所述结构的配线 层在平面图中从所述开口突出，以形成突出部分， 在所述突出部分中除端部外形成所述结构，并且 所述电磁波吸收体设...

【专利技术属性】
技术研发人员：石田尚志，
申请(专利权)人：日本电气株式会社，
类型：
国别省市：