【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种新的抗反射涂层组合物，以及其用于通过在反射性基材和光致抗 蚀剂涂层之间形成该新的抗反射涂层组合物的薄层而进行图像处理的用途。这种组合物特 别可用于通过光刻技术制造半导体器件。
技术介绍
光致抗蚀剂组合物在缩微平版印刷工艺中用于制造小型化电子元件，例如制造计 算机芯片和集成电路。通常，在这些工艺中，首先向基材，例如用于制造集成电路的硅晶片， 施涂光致抗蚀剂组合物的薄涂膜。然后烘烤已涂布的基材，以蒸发光致抗蚀剂组合物中的 任何溶剂并将涂层固定到基材上。基材的已烘烤的涂布表面接下来经历对辐射的成像式曝 光。这种辐射曝光在已涂布表面的曝光区域中引起化学转变。可见光、紫外(UV)光、 电子束和X射线辐射能是当今在缩微平版印刷工艺中通常使用的辐射类型。在该成像式曝 光之后，用显影剂溶液处理已涂布的基材，以溶解和去除光致抗蚀剂的已辐射曝光区域或 未曝光区域。半导体器件小型化的趋势已经导致使用对越来越短的波长的辐射敏感的新光致 抗蚀剂，并且也已经导致使用复杂的多级体系以克服与这样的小型化有关的难题。在光刻法中使用高吸收性的抗反射涂层是减少光从高反射性基材背反射所产生 的问题的一种途径。背反射率的两个主要缺点是薄膜干涉效应和反射性刻痕。薄膜干涉 或驻波导致由光致抗蚀剂薄膜中的总光强度随光致抗蚀剂厚度改变而变化所引起的临界 线宽尺寸变化。当光致抗蚀剂在含有表面形态特征的基材上形成图案时，反射性刻痕变得 严重，所述表面形态特征使经过光致抗蚀剂薄膜的光散射，导致线宽变化，以及在极端情况 下，形成光致抗蚀剂完全损失的区域。在其中需要进一步减少或消除线宽变化的情况...
【技术保护点】
一种抗反射涂层组合物，包括不含芳族发色团的聚合物、酸产生剂和任选的交联剂，其中该聚合物包括衍生自二酸、三酸、二酸酐或它的相应的四酸或前述化合物的混合物的结构单元和衍生自二醇、二硫醇、三醇、三硫醇、含二环氧的化合物、含三环氧的化合物或前述化合物的混合物的结构单元，其中所述二醇、二硫醇、三醇、三硫醇、含二环氧的化合物或含三环氧的化合物含有一个或多个氮和／或硫原子或含有一个或多个亚烷基。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2008-7-8 12/133,5621.一种抗反射涂层组合物，包括不含芳族发色团的聚合物、酸产生剂和任选的交联剂， 其中该聚合物包括衍生自二酸、三酸、二酸酐或它的相应的四酸或前述化合物的混合物的 结构单元和衍生自二醇、二硫醇、三醇、三硫醇、含二环氧的化合物、含三环氧的化合物或前 述化合物的混合物的结构单元，其中所述二醇、二硫醇、三醇、三硫醇、含二环氧的化合物或 含三环氧的化合物含有一个或多个氮和/或硫原子或含有一个或多个亚烷基。2.权利要求1的抗反射涂层组合物，其中该聚合物包括结构(1)或O)的重复单元3.权利要求2的抗反射涂层组合物，其中h为0，k为1，或其中h为l，k为1。4.权利要求1至3任一项的抗反射涂层组合物，其中该组合物进一步包括芳族发色团。5.权利要求2至4任一项的抗反射涂层组合物，其中Y选自未取代或取代的C1-C2tl亚 烷基、未取代或取代的C1-C2tl脂环族和未取代或取代的C1-C2tl杂脂环族结构部分，优选选自6.权利要求1至5任一项的抗反射涂层组合物，其中所述二酸、」 应的四酸组分或前述化合物的混合物的结构单元衍生自酸、二酸酐或它的相7.权利要求1至6任一项的抗反射涂层组合物，其中所述二醇、二硫醇、三醇、三硫醇、 含二环氧的化合物、含三环氧的化合物或前述化合物的混合物的结构单元衍生自8.权利要求1至7任一项的抗反射涂层组合物，其中聚合物具有选自以下的重复单元9.权利要求2至8任-10.权利要求1至9任--项的抗反射涂层组合物，其中R1为含单环氧的化合物的残基。 -项的抗反射涂层组合物，其中该抗反射涂层组合物进一步包括溶齐U，所述溶剂优选选自丙二醇甲醚、丙二醇甲醚乙酸酯、环己酮、2-庚酮、3-乙氧基-丙酸 乙酯、...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚晖蓉，向中，单槛会，S穆兰，吴恒鹏，
申请(专利权)人：AZ电子材料美国公司，
类型：发明
国别省市：US
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