氨基酸产生剂和含有氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种其氨基的保护基团脱去后会生成氨基酸的氨基酸产生剂，以及使用该氨基酸产生剂和含有该氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物的用于形成被膜的组合物。本发明专利技术提供了含有（Ａ）成分、（Ｂ）成分和（Ｃ）成分的用于形成被膜的组合物。其中（Ａ）成分是下述式（１）所示的氨基的保护基团脱去后会生成氨基酸的氨基酸产生剂，（Ｂ）成分是水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，（Ｃ）成分是溶剂。Ｄ－Ａ　式（１）（式中，Ｄ表示氨基的保护基团，Ａ表示氨基酸去掉氨基的氢原子后所得的有机基团。）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氨基酸产生剂和含有氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物。更详细地说， 涉及留下羧基、保护了氨基的氨基酸产生剂，其通过加热等处理，会脱去氨基的保护基团而 生成氨基酸，还涉及使用了该氨基酸产生剂和含有该氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物的用 于形成被膜的组合物。
技术介绍
聚硅氧烷得益于其Si-O键而发挥出高透明性和高耐热性，已研究了将其作为电 子器件、特别是固体成像元件的部件使用。在将聚硅氧烷用于电子器件中时，要经过通过旋 转涂布法等湿式工艺在任意的基板上形成被膜的工序，所以必须要变为聚硅氧烷清漆。此 外，聚硅氧烷在成膜后，一般要使用任意的烘烤仪器进行烘烤。聚硅氧烷通过烘烤会使分子内和分子间的Si-OH彼此缩聚，从而高分子量化而形 成结实的膜。但在Si-OH缩聚不完全时，在变成电子器件、特别是固体成像元件的部件之 后，在后续工序的高温蚀刻试验等时残留的Si-OH会再次缩聚、脱水而产生气体，造成电子 器件的可靠性显著降低。因此，要解决该问题就必须要消灭残留的Si-OH。过去知道下述方法⑴进行在高温下长时间烘烤的工序，(2)在体系内加入热碱 性产生剂，并烘烤，从而促进缩聚(参照专利文献1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氨基酸产生剂，可脱去保护基团而生成氨基酸。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：加藤拓，小林淳平，高野聪子，作本直树，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]