本发明专利技术的目的在于提供一种其氨基的保护基团脱去后会生成氨基酸的氨基酸产生剂，以及使用该氨基酸产生剂和含有该氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物的用于形成被膜的组合物。本发明专利技术提供了含有（Ａ）成分、（Ｂ）成分和（Ｃ）成分的用于形成被膜的组合物。其中（Ａ）成分是下述式（１）所示的氨基的保护基团脱去后会生成氨基酸的氨基酸产生剂，（Ｂ）成分是水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，（Ｃ）成分是溶剂。Ｄ－Ａ 式（１）（式中，Ｄ表示氨基的保护基团，Ａ表示氨基酸去掉氨基的氢原子后所得的有机基团。）。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及氨基酸产生剂和含有氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物。更详细地说， 涉及留下羧基、保护了氨基的氨基酸产生剂，其通过加热等处理，会脱去氨基的保护基团而 生成氨基酸，还涉及使用了该氨基酸产生剂和含有该氨基酸产生剂的聚硅氧烷组合物的用 于形成被膜的组合物。
技术介绍
聚硅氧烷得益于其Si-O键而发挥出高透明性和高耐热性，已研究了将其作为电 子器件、特别是固体成像元件的部件使用。在将聚硅氧烷用于电子器件中时，要经过通过旋 转涂布法等湿式工艺在任意的基板上形成被膜的工序，所以必须要变为聚硅氧烷清漆。此 外，聚硅氧烷在成膜后，一般要使用任意的烘烤仪器进行烘烤。聚硅氧烷通过烘烤会使分子内和分子间的Si-OH彼此缩聚，从而高分子量化而形 成结实的膜。但在Si-OH缩聚不完全时，在变成电子器件、特别是固体成像元件的部件之 后，在后续工序的高温蚀刻试验等时残留的Si-OH会再次缩聚、脱水而产生气体，造成电子 器件的可靠性显著降低。因此，要解决该问题就必须要消灭残留的Si-OH。过去知道下述方法⑴进行在高温下长时间烘烤的工序，(2)在体系内加入热碱 性产生剂，并烘烤，从而促进缩聚(参照专利文献1)等。添加热碱性产生剂的方法利用了 聚硅氧烷的Si-OH之间容易在碱性条件下发生缩聚的性质，从而有效消灭残留的Si-OH。迄 今为止所报道的热碱性产生剂，是通过将作为显示碱性的部位的伯胺或仲胺以活性较高的 状态添加或添加叔胺，来促进烘烤时进行缩聚，但这样会使聚硅氧烷清漆的冷冻、冷藏或室 温下的存储稳定性变差。另一方面，已知聚硅氧烷清漆的存储稳定性是，一般在酸性区域pH值4附近不会 发生缩聚，是连水解也不进行的稳定区域。过去为了提高加入了热碱性产生剂的体系内的 聚硅氧烷清漆的存储稳定性，需要将PH值调节到4附近，为此使用在体系内再添加草酸或 马来酸等羧酸衍生物的方法。但添加热碱性产生剂虽然会有效消灭残留的Si-OH，但另一方面也会使聚硅氧烷 清漆的存储稳定性恶化。为此，需要在保持良好的聚硅氧烷清漆的存储稳定性的情况下，可以形成在制膜 和烘烤时显著消灭Si-OH的聚硅氧烷膜的聚硅氧烷组合物。此外，已公开了含有聚硅氧烷和有机类交联剂的固化性树脂组合物(参照专利文 献2 4)。现有技术文献专利文献专利文献1 日本特开平6-145599号公报专利文献2 日本特开2006-96983号公报专利文献3 日本特开2008-7640号公报专利文献4 日本特开2003-2^837号公报
技术实现思路
本专利技术是鉴于上述现状而完成的，所要解决的课题是，提供聚硅氧烷清漆的存储 稳定性良好，并且表现出促进残留的Si-OH缩聚的效果的、使用聚硅氧烷组合物的用于形 成被膜的组合物。此外，还提供可防止固化物的缝隙、破裂的使用聚硅氧烷组合物的用于形 成被膜的组合物。本专利技术人为了解决上述问题而进行了深入研究，结果发现在聚硅氧烷中加入了氨 基酸产生剂的聚硅氧烷组合物，聚硅氧烷清漆的存储稳定性良好，会促进烘烤时进行缩聚， 且显著减少Si-OH残留，可有效作为用于形成被膜的组合物作为使用。此外还发现，在电子材料领域使用氨基酸产生剂时，会表现出新的作用效果。也就是说，作为本专利技术的观点1，是一种氨基酸产生剂，可脱去保护基团而生成氨 基酸。作为本专利技术的观点2，是一种热氨基酸产生剂，可借助热脱去保护基团而生成氨基酸。作为本专利技术的观点3，是一种光氨基酸产生剂，可借助光脱去保护基团而生成氨基酸。作为本专利技术的观点4，是如观点1 3的任一项所述的氨基酸产生剂，所述氨基酸 产生剂以下述式(1)表示D-A 式(1)式中，D表示氨基的保护基团，A表示氨基酸去掉氨基的氢原子后所得的有机基 团。作为本专利技术的观点5，是如观点4所述的氨基酸产生剂，所述氨基酸产生剂以下述 式(2)表示式中，D表示氨基的保护基团，R1表示氢原子(n = 0时)或亚烷基，R2表示单键、 亚烷基、或亚芳基，此外，R1和R2可以与彼此结合的氨基的氮原子一起形成环状结构，T是单 键或(k+2L+n+m)价的有机基团，该有机基团是可以含有氨基、巯基或羰基的碳原子数1 10的烷基或碳原子数6 40的芳基，并且k是1 4的整数，L是0 2的整数，η是0 2的整数，m是1 4的整数。作为本专利技术的观点6，是如观点4所述的氨基酸产生剂，所述保护基团D是具有烷氧基羰基结构的酯化羧基残基。作为本专利技术的观点7，是如观点4所述的氨基酸产生剂，所述保护基团D是叔丁氧基羰基或9-芴基甲氧基羰基。Hn权利要求1.一种氨基酸产生剂，可脱去保护基团而生成氨基酸。2.一种热氨基酸产生剂，可借助热脱去保护基团而生成氨基酸。3.一种光氨基酸产生剂，可借助光脱去保护基团而生成氨基酸。4.如权利要求1 3的任一项所述的氨基酸产生剂，所述氨基酸产生剂以下述式(1) 表不D-A式⑴式中，D表示氨基的保护基团，A表示氨基酸去掉氨基的氢原子后所得的有机基团。5.如权利要求4所述的氨基酸产生剂，所述氨基酸产生剂以下述式(2)表示6.如权利要求4所述的氨基酸产生剂，所述保护基团D是具有烷氧基羰基结构的酯化 羧基残基。7.如权利要求4所述的氨基酸产生剂，所述保护基团D是叔丁氧基羰基或9-芴基甲氧基幾基。8.如权利要求1 3的任一项所述的氨基酸产生剂，所述氨基酸产生剂是选自下述式 (2-1) 式0-22)中的至少一种化合物，式中D表示氨基的保护基团。9.一种用于形成被膜的组合物，含有权利要求1 8的任一项所述的氨基酸产生剂。10.一种用于形成被膜的组合物，含有(A)成分、(B)成分和(C)成分，(A)成分权利要求1 8的任一项所述的氨基酸产生剂，(B)成分水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的混合物，(C)成分溶剂。11.如权利要求10所述的用于形成被膜的组合物，所述⑶成分是选自下述式(3)和 下述式中的至少一种水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的混合物，R3aSi(R4)4^a 式(3)式中，R3表示具有烷基、芳基、卤化烷基、卤化芳基、链烯基或环氧基、丙烯酰基、甲基丙 烯酰基、巯基、氨基、羧基、磷酸基、酰胺基、硝基、酰基、磺基、氰基、或它们的组合的有机基 团，并且其通过Si-C键与硅原子结合，此外，R4表示烷氧基、酰氧基或卤原子，a表示O 3 的整数，〔R5cSi (R6)3J2Yb 式⑷式中，R5表示具有烷基、芳基、卤化烷基、卤化芳基、链烯基或环氧基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基、巯基、氨基、羧基、磷酸基、酰胺基、硝基、酰基、磺基、氰基或它们的组合的有机基 团，并且其通过Si-C键与硅原子结合，此外，R6表示烷氧基、酰氧基或卤原子，Y表示亚烷基 或亚芳基，b表示整数0或1，c表示整数0或1。12.如权利要求11所述的用于形成被膜的组合物， 所述(B)成分是选自上述式(3)的 a为0 2时的至少一种水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物或它们的混合物。13.如权利要求10 12的任一项所述的用于形成被膜的组合物，还含有作为(D)成分 的交联性化合物。14.如权利要求13所述的用于形成被膜的组合物，(D)成分含有分子内具有至少2个 下述式(D-I)所示官能团的交联性化合物，-CH2-O-R1 式(D-I)式中，R1表示氢原子或碳原子数1 10的烷基。15.如权利要求本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氨基酸产生剂，可脱去保护基团而生成氨基酸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：加藤拓，小林淳平，高野聪子，作本直树，
申请(专利权)人：日产化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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