一种吸峰电容器制造技术

本实用新型专利技术公开一种吸峰电容器，属于电容器技术领域。包括外壳和引线，外壳内设有填充层，填充层内封装下套，填充层内部设有芯子，芯子两端面设置喷金层，所述芯子包括芯轴，芯轴外包裹有至少一圈金属化膜层，金属化膜层的一侧设有白膜层Ⅰ，白膜层Ⅰ的一侧设有铝箔层，铝箔层的一侧设有白膜层Ⅱ。与现有电容器相比，本实用新型专利技术加上铝箔层后，能吸收较大的电流，采用两层介质白膜，耐压能力强，能承受较大的电压尖峰和ｄｖ／ｄｔ。铝箔层由两片或两片以上的铝箔串联组成，则进一步增强了电容器的耐压能力。电容器的两个极分别采用聚丙烯金属化膜和铝箔，使电容器既能吸收大电流又具有自愈功能。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电容器
，具体涉及一种吸峰电容器。
技术介绍
多晶硅是生产半导体和太阳能电池的基础材料，在未来50年内，多晶硅是 电子和光伏产业的主要原材料，目前各国均在发展多晶硅生产能力和装备。太 阳能电池用多晶硅己经占到多晶硅产量的90%以上，而多晶硅还原炉多档调压 器是多晶硅生产的关键设备。调压器所带负载是可控硅棒串联而成的纯电阻负 载，现有技术中存在的问题是可控硅在非工作档承受较大的电压尖峰和较大的 dv/dt (电压随时间的变化率)，使非工作档可控硅误导通至损坏。
技术实现思路
本技术的目的是要解决多晶硅还原炉调压器用可控硅易损坏，而现有 可控硅在非工作档需要承受较大的电压尖峰和dv/dt等问题，提供一种縮小电 压尖峰和限制dv/dt的吸峰电容器。本技术的技术方案是以下述方法实现的本技术的吸峰电容器，包括外壳和引线，外壳内设有填充层，填充层 内封装下套，填充层内部设有芯子，芯子两端面设置喷金层，所述芯子包括芯 轴，芯轴外包裹有至少一圈金属化膜层，金属化膜层的一侧设有白膜层I，白膜层i的一侧设有铝箔层，铝箔层的一侧设有白膜层n。所述的芯轴外包裹有1~4圈金属化膜层。 所述铝箔层至本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种吸峰电容器，包括外壳（６）和引线（１），外壳（６）内设有填充层（５），填充层（５）内封装下套（４），填充层（５）内部设有芯子（３），芯子（３）两端面设置喷金层（１０），其特征在于：所述芯子（３）包括芯轴（２），芯轴（２）外包裹有至少一圈金属化膜层（１１），金属化膜层（１１）的一侧设有白膜层Ⅰ（８），白膜层Ⅰ（８）的一侧设有铝箔层（９），铝箔层（９）的一侧设有白膜层Ⅱ（１３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：向晓琼，彭华，
申请(专利权)人：来恩伟业鹤壁电子科技有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：41[]