电气接线箱制造技术

技术编号:4895791 阅读:249 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本发明专利技术提供一种电气接线箱,其中即使在熔断器的外壳由于该熔断器的可熔件的放热或者熔化而熔融损坏的时候,也能够抑制该熔融损坏的外壳粘附到熔断器腔的内底部。所述熔断器腔的内底部(11a)具有突出部(16),该突出部(16)形成在该内底部的内底面上并且从该内底面向上延伸,并且突出部(16)的上面(16c、16d)紧靠熔断器(2)外壳(21)的下面(21b),并且由于突出部(16),在内底面与外壳(21)的下面(21b)之间形成有空隙(15e)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种电气接线箱,该电气接线箱具有用于容纳熔断器的熔断器腔。
技术介绍
作为具有熔断器腔的传统电气接线箱,引用了 PLTl中公开的一种电气接线箱。图 14是示出了在熔断器未连接的状态下该传统的电气接线箱的主要部分的透视图。图15示 出了熔断器连接于图14的电气接线箱的状态的透视图。图14所示的传统的电气接线箱5具有熔断器腔51,熔断器6能够从上侧插入到该 熔断器腔51中。一对腔端子52从熔断器腔51的内底面突出。当将图15所示的熔断器6 插入到熔断器腔51中的时候,容纳在熔断器6的外壳61中的一对熔断器端子(图14和图 15中未示出)与该对腔端子52产生接触并且电连接于该对腔端子52。引用列表专利文献[PLT1]日本专利公开 JP-A-2004-64871
技术实现思路
技术问题然而,在传统的电气接线箱5中,在外壳61由于熔断器6的可熔件(图14和图15 中未示出)的放热或者由于熔化的可熔件的沉积而熔融损坏的情况下,该外壳61的下表面 粘附于熔断器腔51的内底面。该下表面是外壳61的设置在插入到熔断器腔51中的方向 上的前侧的那部分。因此,难以从电气接线箱5取出具有熔融损坏的外壳61的熔断器6。与熔断器6是速断型熔断器的情况相比,上述问题更易于特别发生在熔断器6是 作为抗冲击电流型熔断器的缓断型熔断器的情况中。其原因在于,缓断型熔断器的熔断时 间持续的较长,使得形成缓断型熔断器的外壳61更加熔融损坏。已经针对上述情况创造了本专利技术,并且本专利技术的目的是提供一种电气接线箱,其 中即使在熔断器的外壳由于该熔断器的可熔件的放热或者熔化而熔融损坏的时候,也能够 抑制该熔融损坏的外壳粘附到熔断器腔的内底部。解决问题的方案(1)为了实现上述目的,本专利技术的电气接线箱包括由合成树脂制成的熔断器腔,熔断器能够从上侧插入到该熔断器腔中,该熔断器 包括一对熔断器端子、电连接该熔断器端子的可熔件,以及由合成树脂制成并且容纳所述 熔断器端子以便封盖所述可熔件的外壳;以及一对腔端子,构造成当将所述熔断器插入到所述熔断器腔中时与所述熔断器端子 产生接触,以便电连接于该熔断器端子,其中,将插入到所述熔断器腔中的熔断器的外壳的下面构造成紧靠所述熔断器腔 的内底部,使得将该熔断器在向下的方向上定位在所述熔断器腔中;3其中,所述内底部具有突出部,该突出部形成在该内底部的内底面上并且从该内 底面向上延伸;其中,所述突出部的上面紧靠所述外壳的下面;并且其中,由于所述突出部,在所述内底面与所述外壳的下面之间形成有空隙。在本专利技术的电气接线箱中,如(1)所述,形成在所述熔断器腔的内底面上并且从 该内底面向上延伸的突出部的上面紧靠所述熔断器的外壳的下面,并且由于该突出部,在 所述熔断器腔的内底面与所述外壳的下面之间形成有空隙。因此,即使在所述熔断器的外 壳的设置在插入到所述熔断器腔中的方向上的前侧的那部分,即,形成所述熔断器的外壳 的下面的壁部,由于可熔件的放热或者熔化的可熔件的沉积而熔融损坏的时候,也能够将 熔断器腔的粘附于所述外壳的熔融损坏部分的那部分的面积保持在小的水平。因此,能够 轻松地从熔断器腔取出外壳熔融损坏的熔断器。(2)此外,优选当从上侧观看该熔断器腔的时候,所述突出部设置在所述腔端子 之间的内底面处,并且该突出部位于容纳在所述熔断器腔中的熔断器的可熔件的正下方。利用如(2)所述的结构,当将熔断器容纳在电气接线箱中时,由于所述突出部的 上面与所述熔断器腔的内周面的彼此协作,以很均衡的方式将熔断器的外壳支撑在稳定的 状态中,并且因此,这是优选的。(3)此外,优选在将所述熔断器容纳在熔断器腔中的状态下,所述突出部在所述 内底面上突出,使得在熔断器的外壳的位于可熔件正下方的那部分的下面与所述熔断器腔 的内底面之间形成有空隙。利用如(3)所述的结构,在避开熔断器的可熔件的正下方的区域设置突出部,亦 即当由于可熔件的放热或者熔化的可熔件的沉积,熔断器的外壳开始从该外壳的靠近可熔 件的那部分,即易于熔融损坏的那部分熔融损坏的时候,突出部的上面紧靠熔断器的外壳 的位于远离可熔件的下面的不易被熔融损坏的那部分,并且因此,甚至能够防止熔融损坏 的外壳粘附到突出部的上面,并且因此,这是优选的。(4)优选上述的电气接线箱的熔断器是缓断型熔断器。利用如(4)所述的结构,当容纳了外壳趋于更加熔融损坏的缓断型熔断器的时 候,能够更加显著地抑制该熔融损坏的外壳粘附到熔断器腔的内底部,并且因此,这是优选 的。本专利技术的有益效果在本专利技术的电气接线箱中,即使在熔断器的外壳由于该熔断器的可熔件的放热或 者熔化而熔融损坏的时候,也能够抑制熔融损坏的外壳粘附到熔断器腔的内底部,并且因 此,能够轻松地从电气接线箱取出外壳被熔融损坏的熔断器。因此,在本专利技术中,能够减少 用于更换熔断器的工作量。附图说明图1是本专利技术的电气接线箱的一个实施例的透视图。图2是示出了在熔断器未连接状态下,本专利技术的电气接线箱的一个实施例的主要 部分的透视图。图3是示出了熔断器连接于图2所示的电气接线箱的状态的透视图。图4是将要插入到本专利技术的电气接线箱的一个实施例中的熔断器的透视图。图5是示出了当从上侧观看时,本专利技术的电气接线箱的一个实施例的熔断器腔的 视图。图6是沿图5的线VI-VI截取的剖视图。图7是示出了将熔断器连接于图6的熔断器腔的状态的剖视图。图8是示出了当从上侧观看时,不设置有突出部的电气接线箱的熔断器腔的视 图。图9是沿图8的线IX-IX截取的剖视图。图10是示出了将熔断器连接于图9的熔断器腔的状态的剖视图。图11是示出了当从上侧观看时,本专利技术的电气接线箱的另一个实施例的熔断器 腔的视图。图12是沿图11的线XII-XII截取的剖视图。图13是示出了将熔断器连接于图12的熔断器腔的状态的剖视图。图14是示出了在熔断器未连接的状态下,一种形式的传统电连接器的主要部分 的透视图。图15是示出了将熔断器连接于图14的电气接线箱的状态的透视图。附图标记列表1电气接线箱11熔断器腔Ila熔断器腔的内底部12腔端子13端子支撑体14容纳槽15非突出部15a拐角部15b中央部15c拐角部15a的上面15d中央部15b的上面15e空隙16突出部16a基座16b狭长突出16c基座16a的上面16d狭长突出16b的上面17接合槽2熔断器21外壳21a接合部21b外壳21的下面21c开口部21d插入通道22熔断器端子23可熔件具体实施例方式下面将参考附图来详细描述本专利技术的优选实施例。如图1所示,本专利技术的电气接线箱1的一个实施例具有熔断器腔11,该熔断器腔 11形成在该电气接线箱1的合成树脂制箱体的一个面的多个部分中,熔断器能够从上侧插 入到该熔断器腔11中,并且该电气接线箱1具有容纳在该电气接线箱1的箱体内的各种电 气部件、各种电路以及连接这些电气部件、这些电路和熔断器的布线。图1中并没有示出所 述电气部件、电路和布线。如图2和图3所示,这样形成熔断器腔11,使得部分或全部熔断器2能够容纳在由 熔断器腔11的内底部Ila和内周面lib所形成的凹部中。一对腔端子12从熔断器腔11 的内底部Ila突出(见图6等)。在将熔断器2插入到熔断器腔11中的时候,该对腔端子 12进入熔断器2的外壳21的内部,并且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电气接线箱,包括:由合成树脂制成的熔断器腔,熔断器能够从上侧插入到该熔断器腔中,所述熔断器包括:一对熔断器端子、电连接该熔断器端子的可熔件,以及由合成树脂制成并且容纳所述熔断器端子以便封盖所述可熔件的外壳;以及一对腔端子,该对腔端子构造成:当将所述熔断器插入到所述熔断器腔中时,与所述熔断器端子产生接触从而电连接于该熔断器端子,其中,将插入到所述熔断器腔中的所述熔断器的外壳的下面构造成紧靠所述熔断器腔的内底部,使得将该熔断器在向下的方向上定位在所述熔断器腔中;其中,所述内底部具有突出部,该突出部形成在该内底部的内底面上并且从该内底面向上延伸;其中,所述突出部的上面紧靠所述外壳的所述下面;其中,由于所述突出部,在所述内底面与所述外壳的所述下面之间形成有空隙。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2008-1-23 2008-013063一种电气接线箱,包括由合成树脂制成的熔断器腔,熔断器能够从上侧插入到该熔断器腔中,所述熔断器包括一对熔断器端子、电连接该熔断器端子的可熔件,以及由合成树脂制成并且容纳所述熔断器端子以便封盖所述可熔件的外壳;以及一对腔端子,该对腔端子构造成当将所述熔断器插入到所述熔断器腔中时,与所述熔断器端子产生接触从而电连接于该熔断器端子,其中,将插入到所述熔断器腔中的所述熔断器的外壳的下面构造成紧靠所述熔断器腔的内底部,使得将该熔断器在向下的方向上定位在所述熔断器腔中;其中,所述内底部具有突出部,该突出部形成在该内底部的内底面上并且从该内底面向上延伸;其中,所述突出部的上面紧靠所述外壳的所述下面;...

【专利技术属性】
技术研发人员:冈田英士
申请(专利权)人:矢崎总业株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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