以离子束均匀布植晶圆的方法技术

本发明专利技术是有关于一种以离子束均匀布植晶圆的方法，首先，在晶圆上形成带状的离子束，其中，带状离子束具有沿着第一轴的长度与沿着第二轴的宽度，在此，长度大于晶圆的直径而宽度小于晶圆的直径。然后，沿着通过离子束的一扫描路径，以一移动速度移动晶圆中心，且同时以一旋转速度旋转该晶圆。在同时移动与旋转的期间中，当晶圆通过离子束时，此晶圆被沿着第一轴的离子束完全覆盖，且旋转速度最多是移动速度的数倍。移动速度与旋转速度均可以是常数，或者为相对于离子束在晶圆的一位置的一函数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种离子布植的方法，特别是涉及一种变更晶圆与离子束之间的相对 运动与相对几何关系，以离子束均勻布植晶圆的方法。
技术介绍
离子布植工艺通常需要均勻且一致的离子剂量，以及稳定与均勻的离子束，藉以 布植晶圆。离子剂量通常是离子束电流密度与晶圆被离子束扫描的时间的函数。由于晶圆尺寸越来越大，半导体制造逐渐趋向所谓的单晶圆系统，也就是一次 仅加工一晶圆。通常，单一晶圆的离子布植工艺应用所谓的带状离子束(ion beam with elongated shape)。当带状离子束所需长度，随着晶圆尺寸越来越大而不断增加，要形成离 子束电流强度分布与离子束角度分布均符合均勻度标准的带状离子束越发困难。因此，有 必要提出较佳的方法与装置，可在单晶圆离子布植机达到均勻布植，而不需过量的电子束 均勻度调校。传统技术通常需要同时移动与旋转直径比离子束长度大的晶圆，使得晶圆的不同 部分接收到大致均勻的剂量。首先，如图IA所示，形成带状离子束10，其中，带状的离子束 10具有沿着二独立轴的长度与宽度，晶圆11具有一直径，该直径大于离子束10的长度与宽 度。接着，如图IB所示，在晶圆11通过离子本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种以离子束均匀布植晶圆的方法，其特征在于其包括以下步骤：形成具有一带状形状的一离子束，其中，该带状形状具有沿着一第一轴的一长度与沿着一第二轴的一宽度，该长度大于该晶圆的一直径，该宽度小于该晶圆的该直径；以及沿着通过该离子束的一扫描路径，以一移动速度移动该晶圆的一中心，且同时以一旋转速度旋转该晶圆，其中，当该晶圆通过该离子束时，在沿着该第一轴的方向该晶圆被该离子束完全覆盖，其中，该旋转速度最多是该移动速度的数倍。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：沈政辉，唐贝瑞安，
申请(专利权)人：汉辰科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]