【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体器件的模型方法，特别是涉及一种MOS变容管的模型。
技术介绍
MOS变容管(MOS varactor)是半导体射频集成电路中常采用的射频器件之一，常 用的MOS变容管包括反型(Inversion Mode)和积累型(Accumulation Mode)两种。请参阅附图说明图1，这是一个积累型MOS变容管示意图。其中G、S和D分别表示MOS变 容管的栅极、源极和漏极，n+、n-和ρ+分别表示η型重掺杂区、η型轻掺杂区和ρ型重掺杂 区。积累型MOS变容管是imp型MOS管，即在PMOS的基础上将源、漏的ρ型重掺杂区换为 η型重掺杂区。在实际工作时，积累型MOS变容管的栅极G作为器件可变电压端，源极S和漏极D 短接作为器件参考电压端，其电容随着栅极G与源极S之间的电压(扫描电压)值的变化 而变化。一个典型的积累型MOS变容管的调制特性曲线如图2所示，积累型MOS变容管只 工作在耗尽区和积累区。积累型MOS变容管的电学模型及模型参数提取方法是射频集成电路领域中一个 重要的研发领域。目前的积累型MOS变容管的电学模型往往过于简单，缺乏对不同尺寸器 件调制特性的拟合能力，在模拟精度还达不到射频集成电路设计精度的要求。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种积累型MOS变容管的电学模型，该模型对 不同尺寸的积累型MOS变容管都具有良好的拟合能力。为解决上述技术问题，本专利技术积累型MOS变容管的电学模型是 权利要求一种积累型MOS变容管的电学模型，其特征是，所述电学模型表述为 <mrow><mi>Cap&l...
【技术保护点】
一种积累型ＭＯＳ变容管的电学模型，其特征是，所述电学模型表述为：Ｃａｐ＝ｃ１＋ｃ２×［１＋ｔａｎｈ（Ｖｇｓ＋ｃ３／ｃ４）］Ｃａｐ是积累型ＭＯＳ变容管的电容值；Ｖｇｓ是积累型ＭＯＳ变容管栅极与源极之间所加的电压值，并且栅极作为可变电压端，源极和漏极短接作为参考电压端；ｔａｎｈ（）是双曲正切函数；ｃ１＝ａ＋ｂ×Ｗｇ＋ｃ×Ｌｇ＋ｄ×Ｗｇ×Ｌｇｃ２＝ｅ×Ｗｇ×Ｌｇａ、ｂ、ｃ、ｄ和ｅ均为常数，取值范围在０到１０之间；Ｗｇ和Ｌｇ分别为积累型ＭＯＳ变容管的沟道宽度和沟道长度；ｃ３和ｃ４为常数，取值范围在一２到２之间。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周天舒，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]
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