【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电化学电容器及其制造方法。
技术介绍
近年来,已经进行了电化学电容器的开发。作为电化学电容器的示例,有利用在电极与电解质溶液的界面静电累积的电容的正电荷与负电荷的双电层电容器(electricdoublelayercapacitor,EDLC),以及利用采用电子转移过程(法拉第过程)在电极的表面累积的电容的氧化还原电容器(参照专利文献1)。
[参照]
专利文献1:日本专利申请公开第2007-123833号。
技术实现思路
在本专利技术的实施例中,提供一种新的电化学电容器的结构和电化学电容器的制造方法。另外,在本专利技术的实施例中,提出能够增加电容的电化学电容器。此外,在本专利技术的实施例中,提出能够改进生产率的电化学电容器的制造方法。
在本专利技术的实施例中,在基板(substrate,衬底)的表平面(surfaceplane)形成正电极和负电极是电化学电容器的特征。此外,在本专利技术的实施例中,有具有电解质、以及与电解质的相同表平面接触的正电极和负电极的电化学电容器。换句话说, ...
【技术保护点】
一种存储装置,包括:基板;所述基板的第一区域上的第一电极;所述基板的第二区域上的第二电极;以及电解质,覆盖所述第一电极和所述第二电极的每个的上表面和侧面,其中所述第一电极和所述第二电极的每个具有凹形状。
【技术特征摘要】
2009.09.30 JP 2009-2270041.一种存储装置,包括:
基板;
所述基板的第一区域上的第一电极;
所述基板的第二区域上的第二电极;以及
电解质,覆盖所述第一电极和所述第二电极的每个的上表面和侧面,
其中所述第一电极和所述第二电极的每个具有凹形状。
2.根据权利要求1所述的存储装置,
其中所述第一电极是正电极,以及
其中所述第二电极是负电极。
3.一种存储装置包括:
基板;
所述基板的第一区域上的第一集流器和第一活性材料;
所述基板的第二区域上的第二集流器和第二活性材料;以及
电解质,覆盖所述第一集流器和所述第二集流器的侧面以及所述第一活性材料和所述第二活性材料的上表面和侧面,
其中所述第一集流器和所述第二集流器的每个具有凹形状。
4.根据权利要求3所述的存储装置,
其中所述第一集流器和所述第一活性材料是正电极集流器和正电极活性材料,以及
其中所述第二集流器和所述第二活性材料是负电极集流器和负电极活性材料。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:栗城和贵,荻野清文,斎藤祐美子,
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。