改善有源区边缘缺陷的方法技术

本发明专利技术提出一种改善有源区边缘缺陷的方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，定义出有源区，所述有源区边缘的半导体衬底内包含有缺陷；对腐蚀阻挡层进行酸蚀，露出有源区边缘半导体衬底内的缺陷；氧化有源区之间的半导体衬底，形成隔离区。本发明专利技术避免了有源区边缘的管道状缺陷的形成，而不会产生较长的“鸟嘴”、晶圆可靠性测试（ＷＡＴ）偏移等问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制造领域，尤其涉及。
技术介绍
随着集成电路尺寸的减小，对于器件结构及工艺的要求也越来越高。目前在定义 有源区形成LOCOS(局部氧化)隔离结构的过程中，由于刻蚀工艺时氮化硅膜的边缘效应， 使有源区边缘产生了导致二级管工艺中发射极-集极短路的管道状缺陷。目前0. 18 μ m以下的元件例如MOS电路的有源区进行定义过程中产生管道状缺 陷的情况如下参考图1，提供一半导体衬底100 ；用热氧化法在半导体衬底100上形成垫 氧化层102 ；用化学气相沉积法在垫氧化层102上形成腐蚀阻挡层104，所述腐蚀阻挡层 104的材料为氮化硅；用旋涂法在腐蚀阻挡层104上形成光刻胶层106，经过曝光显影工艺， 定义有源区图形；以光刻胶层106为掩膜，用干法刻蚀法刻蚀腐蚀阻挡层104和垫氧化层 102，形成开口 110，开口 110之间的区域为有源区111。在刻蚀过程中由于作为腐蚀阻挡层 104的氮化硅膜的边缘效应，使有源区111边缘产生了缺陷113。如图2所示，灰化法去除光刻胶层106，然后再用湿法刻蚀法去除残留的光刻胶层 106。将半导体衬底100放入炉管内，用热氧化法氧本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，定义出有源区，所述有源区边缘的半导体衬底内包含有缺陷；对腐蚀阻挡层进行酸蚀，露出有源区边缘半导体衬底内的缺陷；氧化有源区之间的半导体衬底，形成隔离区。

【技术特征摘要】
一种改善有源区边缘缺陷的方法，其特征在于，包括提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，定义出有源区，所述有源区边缘的半导体衬底内包含有缺陷；对腐蚀阻挡层进行酸蚀，露出有源区边缘半导体衬底内的缺陷；氧化有源区之间的半导体衬底，形成隔离区。2.根据权利要求1所述改善有源区...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄玉玲，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]