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本发明提出一种改善有源区边缘缺陷的方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底，定义出有源区，所述有源区边缘的半导体衬底内包含有缺陷；对腐蚀阻挡层进行酸蚀，露出有源区边缘半导体衬底内的...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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