基于金属薄膜的应力补偿的温度补偿晶体谐振器制造技术

本实用新型专利技术公开一种基于金属薄膜的应力补偿的温度补偿晶体谐振器，包括晶体片和晶体片上的电极，晶体片沿圆周两侧或者电极上设有镀膜温度传感材料。本实用新型专利技术采用晶体片的力频特性和温频特性互补关系补偿晶体谐振器的频率。当温度变化时，本实用新型专利技术通过温度传感材料的变形，产生施加于晶体片的应力，补偿晶体片自身随温度所产生的频率变化。采用本实用新型专利技术的补偿方法，可在较宽的温度范围使晶体片的频率－温度特性达±１ｐｐｍ，因此能够满足更高精度晶体振荡器的要求，本实用新型专利技术提高了温度补偿晶体谐振器的起点和总体水平，大大简化甚至省略了温度补偿的各种线路，具有体积小、成本低的优点。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
基于金属薄膜的应力补偿的温度补偿晶体谐振器，包括晶体片（２）和晶体片上的电极（１），其特征在于：晶体片（１）沿圆周两侧或者电极（２）上设有镀膜温度传感材料（３）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周渭，贾兆旻，关兴水，
申请(专利权)人：西安华伟电力电子技术有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：87[中国|西安]