【技术实现步骤摘要】
本技术涉及的是一种节能灯,尤其是一种超高频高功率因数节能灯。技术背景 在现有技术中,公知的技术是现有的节能灯的功率输出有限,效率低,在工作过程 中产生的热量大,极易烧毁,影响了节能灯的使用寿命,这是现有技术所存在的不足之处。
技术实现思路
本技术的目的,就是针对现有技术所存在的不足,而提供一种超高频高功率 因数节能灯的技术方案,该方案的的节能灯,效率高,频率高。 本方案是通过如下技术措施来实现的一种超高频高功率因数节能灯,包括有灯 管,桥式整流器,本方案的特点是有第一电容C1和第二电容C2串联后,串接在所述桥式整 流器D3的输出端,所述的灯管E的一端与第一电容C1和第二电容C2的连接点处连接,灯 管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一 mosfet管Ql的源极连接,第一 mosfet管Ql的源极和栅极间串联有第一触发二极管Dl,第一 mosfet管Ql的源极还通过 变压器T的第一次级线圈Nl、第一电阻Rl与第一 mosfet管Ql的栅极连接,第一 mosfet管 Ql的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一 mosfet管Q1的源极与第二 ...
【技术保护点】
一种超高频高功率因数节能灯,包括有灯管,桥式整流器,其特征是:有第一电容C1和第二电容C2串联后,串接在所述桥式整流器D3的输出端,所述的灯管E的一端与第一电容C1和第二电容C2的连接点处连接,灯管E的另一端通过一电感L、变压器T的初级线圈N与第一mosfet管Q1的源极连接,第一mosfet管Q1的源极和栅极间串联有第一触发二极管D1,第一mosfet管Q1的源极还通过变压器T的第一次级线圈N1、第一电阻R1与第一mosfet管Q1的栅极连接,第一mosfet管Q1的漏极还与桥式整流器D3的正极连接。所述的第一mosfet管Q1的源极与第二mosfet管Q2的漏极连接,第 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:孔令志,林永生,
申请(专利权)人:兖州市金盛科技有限公司,
类型:实用新型
国别省市:37[中国|山东]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。