一种不同电压域的电平转换电路制造技术

本发明专利技术公开了一种不同电压域的电平转换电路，涉及集成电路技术领域，解决了电平转换电路功耗高、速度慢、难以集成、电路复杂、信号易失真等技术问题，其技术方案要点是输入信号IN的变换会引起电阻R3和电阻R4上电流的变化，进而引起NMOS管M1和NMOS管M2源漏电流的变化，电流比较器通过对NMOS管M1和NMOS管M2电流的对比后输出电平信号OUT；即将第一电压域VDD1‑GND1中的信号IN转换成第二电压域VDD2‑GND2中的信号OUT，能够免疫两个电压域之间的电压变化和噪声。具有高抗噪声能力和高耐压能力，能够实现信号从低压向高压，或者从高压向低压进行传输，同时可以消除两个电压域之间的噪声。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及集成电路，尤其涉及一种不同电压域的电平转换电路。

技术介绍

1、不同电压域之间进行信号传输，需要通过电平转换电路，如图1和图2所示。图1为低侧驱动应用电路图，电路中寄生电感的存在会导致噪声信号的产生和传播，出现干扰信号，由于地信号线上寄生电容l1～l3的存在，随着功率管mosfet的开通与关闭，gnd1和gnd2之间会存在噪声(电压差)，从而会影响两电压域之间信号传输的有效性。图2为高侧驱动应用电路图，一般情况负载load为感性负载，第二电压域的地gnd2为浮动电压，gnd2会随着mosfet的开通和关闭而进行高低电压变化，而gnd2的变化的速率、过冲与下冲都会影响两电压域的信号传输正确性。

2、电平转换电路一般包含隔离和非隔离两种电路结构，非隔离电路具有结构简单、易于集成的优点，但是在抗噪声性能上远不如隔离电路。隔离电路一般包含光耦、磁耦、容耦三种隔离方式，这几种都存在各自优势与缺点，光耦具有功耗高、速度慢的缺点，磁耦具有器件难以集成的缺点，容耦具有电路复杂、信号易失真的缺点。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种不同电压域的电平转换电路，其特征在于，包括反相器INV1、反相器INV2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、NMOS管M0、NMOS管M1、NMOS管M2、电流源I 0、电流比较器、第一钳位电路和第二钳位电路；

2.一种不同电压域的电平转换电路，其特征在于，包括反相器INV1、反相器INV2、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、NMOS管M0、NMOS管M1、NMOS管M2、电流源I 0、电流比较器、第一钳位电路和第二钳位电路；

3.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于，所述电流比较器包括PMOS管M3、PMOS管M4、PMOS管M5、...

【技术特征摘要】

1.一种不同电压域的电平转换电路，其特征在于，包括反相器inv1、反相器inv2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、nmos管m0、nmos管m1、nmos管m2、电流源i 0、电流比较器、第一钳位电路和第二钳位电路；

2.一种不同电压域的电平转换电路，其特征在于，包括反相器inv1、反相器inv2、电阻r1、电阻r2、电阻r3、电阻r4、nmos管m0、nmos管m1、nmos管m2、电流源i 0、电流比较器、第一钳位电路和第二钳位电路；

3.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于，所述电流比较器包括pmos管m3、pmos管m4、pmos管m5、pmos管m6、nmos管m7、nmos管m8、反相器inv3和电容c1；

4.如权利要求1或2所述的电平转换电路，其特征在于，所述电流比较器包括pmos管m9、pmos管m10、pmos管m11、pmos管m12、pmos管m15、pmos管m16、pmos管m19、nmos管m13、nmos管m14、nmos管m17、nmos管m18、电容c2、电容c3、电阻r5、电阻r6、电流源i3和电流源i4；所述pmos管m9、pmos管m10、pmos管m11、pmos管m12、pmos管m15、pmos管m16以及pmos管m19的源端均连接电源vdd2；所述pmos管m9的栅端、漏端均与pmos管m10的栅端连接，作为电流比较器的第一电流输入端，并输出电流信号i1；所述pmos管m11的栅端、漏端均与pmos管m12的栅端连接，作为电流比较器的第二电流输入端，并输出电流信号i2；所述pmos管m10的漏端与电阻r5的一端、电容c2的一端和所述nmos管m18的栅端均连接；所述电阻r5的另一端与所述nmos管m13的栅端、漏端均连接；所述pmos管m12的漏端与电阻r6的一端、电容c3的一端和所述nmos管m17的栅端均连接；所述电阻r6的另一端与所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：禹阔，张允武，陆扬扬，鲍文笑，
申请(专利权)人：国硅集成电路技术无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：