一种探针及其加工方法技术

本发明专利技术提供一种探针及其加工方法，包括：探针MEMS加工方法，基底选择步骤：选取硅基底或金属基底，并在基底表面形成牺牲层；图形化步骤：通过光刻工艺在基底上形成探针结构图案；探针预结构成形步骤：依次采用深硅刻蚀和金属蚀刻以实现探针预结构加工；功能层处理步骤：采用物理气相沉积和脉冲施加电镀形成金属导电层；结构释放步骤：通过化学或物理方法去除牺牲层以完成探针释放，得到探针；和/或飞秒激光加工方法，包括以下步骤：用脉冲宽度<100fs的飞秒激光束聚焦于待加工材料表面；通过功率密度≥1013W/cm2诱发材料发生电离机制；利用等离子体冷烧蚀效应实现材料去除，形成切割路径，得到探针；实现了无应力、高精度且表面粗糙度达Ra<0.1μm的探针加工。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及探针，具体涉及一种探针及其加工方法。

技术介绍

1、随着微电子测试和半导体检测技术的快速发展，高精度探针的加工工艺面临前所未有的挑战。传统车削或冲压工艺加工的探针难以满足微米级精度需求，且存在明显机械应力，导致针尖变形率高达15％-20％，尺寸误差普遍超过±5μm。后续需化学抛光修正粗糙度(ra>0.3μm)，但会削弱探针机械强度。

2、现有mems工艺的深硅刻蚀虽可实现高精度，但牺牲层湿法刻蚀易引发结构塌陷，且金属导电层沉积时的高温过程(>300℃)会导致基底材料退火。现有技术提出的微铸模具法虽能成形复杂针尖，但脱模过程仍存在断裂风险。

3、现有纳秒激光加工因热扩散效应形成10～20μm热影响区，导致探针导电层氧化失效。现有技术采用的悬臂探针设计虽优化了焊接性能，但未解决加工过程中的热累积问题。

技术实现思路

1、为了解决现有技术存在应力残留导致探针变形、热积累引发材料退化等固有缺陷等技术问题，本专利技术提出了一种探针及其加工方法，能够实现无应力切割，避免了本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种探针的加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述电离包括：

3.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括：<100>晶向单晶硅片，所述硅基底的厚度为500～700μm，所述金属基底包括：铼钨合金或铍铜合金；所述铼钨合金包括以下重量百分比的组分：

4.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述牺牲层通过等离子体增强化学气相沉积SiO2薄膜或SiNX薄膜形成，所述牺牲层的厚度为2～5μm。

5.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述图形...

【技术特征摘要】

1.一种探针的加工方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述电离包括：

3.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述硅基底包括：<100>晶向单晶硅片，所述硅基底的厚度为500～700μm，所述金属基底包括：铼钨合金或铍铜合金；所述铼钨合金包括以下重量百分比的组分：

4.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述牺牲层通过等离子体增强化学气相沉积sio2薄膜或sinx薄膜形成，所述牺牲层的厚度为2～5μm。

5.根据权利要求1所述的探针的加工方法，其特征在于，所述图形化步骤包括以下步骤：

6.根据权利要求5所述的探针的加工方法，其特征在于，所述涂覆步骤中所述胶膜包...

【专利技术属性】
技术研发人员：张桓瑜，王景峰，闫立民，
申请(专利权)人：美博科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：