一种基于硅-玻璃键合基底的垂直梳齿自对准制备方法技术

本申请公开一种基于硅‑玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，包括：采用电子束蒸发技术在玻璃基底的第一表面沉积铬金属层和金金属层，剥离形成金属电极和金属走线；在硅基底的第一表面制备掩膜，进行锚点刻蚀；将玻璃基底的第一表面与硅基底的第一表面对准后阳极键合；将与硅基底的第一表面相对的第二表面进行抛光减薄；在与玻璃基底的第一表面相对的第二表面沉积SiO2薄膜；对SiO2薄膜进行第一次光刻，再进行干法刻蚀，获得SiO2掩膜；去除残余光刻胶，对SiO2掩膜进行第二次光刻，再进行干法刻蚀；进行第一次深硅刻蚀；去除残余光刻胶，进行第二次刻蚀，获得硅‑玻璃键合基底的垂直非等高梳齿。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法。

技术介绍

1、微机电系统(mems)是以微电子技术(半导体制造技术)为基础发展起来的，其融合了光刻、腐蚀、薄膜、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等技术。特征尺寸在微米量级，集传感技术、制动技术和控制技术于一体。采用mems技术实现的微型电容式加速度计，具有精度高、灵敏度高、噪声低、易集成等优点，在工业自动化、地震监控、航空航天、地质勘探、汽车制造、消费电子等领域有着广泛的应用。

2、硅-玻璃键合结构(sog：silicon on glass)工艺通过阳极键合技术将硅圆片与玻璃衬底结合，形成硅作为结构层、玻璃作为支撑层和电极层的复合体系。这种结构设计可提升器件的机械稳定性和抗环境干扰能力。sog工艺作为mems加工技术的关键分支，通过硅-玻璃键合与微结构刻蚀的结合，为mems器件提供了高精度、高可靠性的制造方案，在陀螺仪、加速度计等领域广泛应用。

3、电容式加速度计是将检测加速度的大小转化为检测电容的变化。利用加速度产生的惯性力改变质量块上敏感电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于硅-玻璃键合基底的垂直非等高梳齿自对准制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，所述玻璃基底为单面打标玻璃片。

3.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，所述硅基底为单抛低阻硅片。

4.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，采用化学机械抛光对所述硅基底的所述第一表面相对的第二表面进行抛光减薄。

5.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备...

【技术特征摘要】

1.一种基于硅-玻璃键合基底的垂直非等高梳齿自对准制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，所述玻璃基底为单面打标玻璃片。

3.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，所述硅基底为单抛低阻硅片。

4.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，采用化学机械抛光对所述硅基底的所述第一表面相对的第二表面进行抛光减薄。

5.根据权利要求1所述的基于硅-玻璃键合基底的非等高垂直梳齿自对准制备方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积在与所述玻璃基底的所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢飞，张晰雯，刘瑞涛，墨京华，鲁文帅，
申请(专利权)人：启元实验室，
类型：发明
国别省市：