一种MEMS晶圆的分割方法技术

技术编号:46586345 阅读:1 留言:0更新日期:2025-10-10 21:22
本申请涉及一种MEMS晶圆的分割方法。MEMS晶圆的分割方法包括提供MEMS晶圆,MEMS晶圆包括基底层及设于基底层之上的结构层,结构层具有牺牲层;MEMS晶圆具有多个阵列排布的MEMS器件单元及位于每相邻两个MEMS器件单元之间的切割区域;自MEMS晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿切割区域对MEMS晶圆进行第一次切割,形成在MEMS晶圆厚度方向上贯穿所述结构层和部分基底层的第一切割槽;去除结构层的牺牲层;沿第一切割槽对去除牺牲层之后的MEMS晶圆进行第二次切割,将每一MEMS器件单元分割开,形成多个MEMS器件。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及mems器件,尤其涉及一种mems晶圆的分割方法。


技术介绍

1、mems(micro-electromechanical systems)也称微机电系统,是以机、电技术,尤其是微机械为基础,运用微电子技术和微加工技术,进行微纳米和微机电系统内的一系列微型器件的设计、制造及测试。在mems器件的制造工艺中,有很多复杂的三维或支撑结构都采用牺牲层作为填充,再进行切割划片,将晶圆圆片切割成单个的mems器件单元,并可进一步进行牺牲层释放工艺,形成mems器件。牺牲层(sacrificial layer),是指在形成微机械结构的空腔或可活动的微结构过程中,先在下层薄膜上用牺牲层材料(常用的有氧化硅、多晶硅、聚酰亚胺等)淀积所需的各种特殊结构件,利用牺牲层可以加工制造出不同结构的微结构,再用化学刻蚀剂或腐蚀工艺气体将此薄膜腐蚀掉,但不损伤微结构件,然后得到上层薄膜结构(空腔或微结构件)。故释放工艺是mems器件制造中必不可少的工序。相关技术中,将晶圆圆片切割成单个的mems器件单元,之后再进行牺牲层释放工艺,在反复进行拾取中极易损坏单个mems器件单元的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种MEMS晶圆的分割方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的MEMS晶圆的分割方法,其特征在于,在自所述MEMS晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿所述切割区域对所述MEMS晶圆进行第一次切割之前,所述方法包括:

3.如权利要求2所述的MEMS晶圆的分割方法,其特征在于,在所述MEMS晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧设置保护胶层之后,在自所述MEMS晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿所述切割区域对所述MEMS晶圆进行第一次切割之前,所述方法包括:

4.如权利要求3所述的MEMS晶圆的分割方法,其特征在于,在自所述MEMS晶圆的所...

【技术特征摘要】

1.一种mems晶圆的分割方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的mems晶圆的分割方法,其特征在于,在自所述mems晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿所述切割区域对所述mems晶圆进行第一次切割之前,所述方法包括:

3.如权利要求2所述的mems晶圆的分割方法,其特征在于,在所述mems晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧设置保护胶层之后,在自所述mems晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿所述切割区域对所述mems晶圆进行第一次切割之前,所述方法包括:

4.如权利要求3所述的mems晶圆的分割方法,其特征在于,在自所述mems晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿所述切割区域对所述mems晶圆进行第一次切割之后,在去除所述结构层的所述牺牲层之前,所述方法包括:

5.如权利要求4所述的mems晶圆的分割方法,其特征在于,在自所述mems晶圆的所述结构层背离所述基底层的一侧沿所述切割区域对所述mems晶圆进行第一次切割之后,在对第一次切割后的mems晶圆进行清洗并去除所述保护胶层之前,所述方法包括:

6.如权利要求5所述的mems晶圆的分割方法,其特征在于,在去除所述结构层的所述牺牲层之后,沿所述第一切割槽对去除所述牺牲层之后的mems晶圆进行第二次切割之前,所述方法包括:

7.如权利要求4所述的mems晶圆的...

【专利技术属性】
技术研发人员:迟海徐振宇
申请(专利权)人:杭州海康微影传感科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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