【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体,具体涉及一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法。
技术介绍
1、目前,碲化镉组件采用热弯工艺进行双曲的方法主要有两类;其一,预先完成所有电池膜层的制备,进行热弯,进行cl处理和cu处理;其二,预先完成部分耐高温膜层制备,进行热弯,进行曲面镀膜和集成工艺。第一种方法的局限在于金属背电极如mo的存在,影响cl处理效果,使得电池效率仅能达到常规组件的70%~80%。第二种方法主要受限于现有激光设备无法实现不规则曲面刻蚀,目前的曲面激光或机械刻化设备仅能进行形状简单和变形量小的双曲产品加工,而对形状复杂和变形量大的双曲产品则尚不能加工。
2、因此,需要一种曲面碲化镉薄膜光伏组件制备方法,避免对热弯之后的曲面光伏组件进行激光刻蚀工艺,同时避免金属背电极对热弯处理工艺和cl处理工艺的阻挡和影响。
技术实现思路
1、有鉴于此,本专利技术提供了一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法,以解决相关技术中的激光设备无法实现不规则曲面的刻蚀,以及金属电极层会对热弯处理工艺和cl处
...【技术保护点】
1.一种曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
4.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
6.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
7.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
< ...【技术特征摘要】
1.一种曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
3.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
4.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
5.根据权利要求4所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员:胡安红,周洁,赵冉,
申请(专利权)人:龙焱能源科技杭州股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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