一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法技术

技术编号:46622930 阅读:1 留言:0更新日期:2025-10-14 21:18
本发明专利技术涉及半导体技术领域,公开了一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法,制备方法包括:在玻璃基板上依次沉积透明导电层、高阻层、刻蚀层;形成贯穿刻蚀层的P1激光槽,P1激光槽的填充材料为第一填充材料;形成覆盖P1激光槽的第二吸收层;形成贯穿透明导电层、高阻层、刻蚀层、第二吸收层的P2激光槽;形成贯穿刻蚀层、第二吸收层的P3激光槽;进行热弯处理工艺;在第二吸收层表面依次形成背接触层和背电极层,并填充P3激光槽;进行局部去膜工艺,去除P1激光槽位置对应的第二吸收层、背接触层和背电极层,形成凹槽。本发明专利技术可以满足任意曲面形状的碲化镉薄膜组件的集成和制备,实现相邻组件单元之间的分割和绝缘。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,具体涉及一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法


技术介绍

1、目前,碲化镉组件采用热弯工艺进行双曲的方法主要有两类;其一,预先完成所有电池膜层的制备,进行热弯,进行cl处理和cu处理;其二,预先完成部分耐高温膜层制备,进行热弯,进行曲面镀膜和集成工艺。第一种方法的局限在于金属背电极如mo的存在,影响cl处理效果,使得电池效率仅能达到常规组件的70%~80%。第二种方法主要受限于现有激光设备无法实现不规则曲面刻蚀,目前的曲面激光或机械刻化设备仅能进行形状简单和变形量小的双曲产品加工,而对形状复杂和变形量大的双曲产品则尚不能加工。

2、因此,需要一种曲面碲化镉薄膜光伏组件制备方法,避免对热弯之后的曲面光伏组件进行激光刻蚀工艺,同时避免金属背电极对热弯处理工艺和cl处理工艺的阻挡和影响。


技术实现思路

1、有鉴于此,本专利技术提供了一种曲面碲化镉薄膜光伏组件及其制备方法,以解决相关技术中的激光设备无法实现不规则曲面的刻蚀,以及金属电极层会对热弯处理工艺和cl处理工艺的产生阻挡和影本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

6.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

7.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

<p>8.一种曲面碲化...

【技术特征摘要】

1.一种曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

3.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

4.根据权利要求2所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

5.根据权利要求4所述的曲面碲化镉薄膜光伏组件的制备方法,其特征在于,

6.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:胡安红周洁赵冉
申请(专利权)人:龙焱能源科技杭州股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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