碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备技术

本发明专利技术涉及光伏电池技术领域，公开了碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备，其中碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，包括：利用硒化镉加热室对硒化镉原料进行加热，加热温度为T1，得到第一气态反应前驱体；利用碲化镉加热室对碲化镉原料进行加热，加热温度为T2，满足T1>T2，得到第二气态反应前驱体；利用第一出气管将第一气态反应前驱体引入混合室，利用第二出气管将第二气态反应前驱体引入混合室，在混合室内得到混合气体；利用连接管将混合气体输送至喷口处，通过喷口喷向基板，以在基板表面形成碲硒化镉薄膜。本发明专利技术采用硒化镉和碲化镉二元合金进行近空间升华沉积，能够显著提升碲硒化镉薄膜的稳定性，从而提升电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏电池制造，具体涉及碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备。

技术介绍

1、碲化镉薄膜电池具备良好的光电转换效率和较低的度电成本，已经取得广泛的商业应用。为了进一步提升碲化镉电池的光电转换效率，可以在基板表面设置cdsete（碲硒化镉）合金层，以拓宽电池对太阳光的吸收范围、钝化吸收层的缺陷。

2、现有技术中，通常以cdsete三元合金作为原料，采用近空间升华（css）沉积工艺来制备cdsete薄膜。由于cdse（硒化镉）和cdte（碲化镉）的饱和蒸汽压及解离能不同，直接采用cdsete三元合金进行css沉积工艺制备cdsete薄膜，容易导致cdsete三元合金的原料成分不稳定，沉积得到的cdsete薄膜成分也不稳定，最终难以提升碲化镉薄膜电池的光电转换效率。

技术实现思路

1、有鉴于此，本专利技术提供了一种碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备，以解决css沉积工艺以cdsete三元合金作为原料制备cdsete薄膜，得到的cdsete薄膜成分不稳定，难以有效提升碲化镉薄膜电池的光电转换本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，所述利用硒化镉加热室（102）对硒化镉原料（4）进行加热，加热温度为T1，得到气态硒、气态镉以及气态硒化镉混合的第一气态反应前驱体，具体包括：

3.根据权利要求 2所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，所述利用硒化镉加热室（102）对硒化镉原料（4）进行动态加热，加热温度为T1，满足630℃≤T1≤700℃，得到气态硒、气态镉以及气态硒化镉混合的第一气态反应前驱体，所述混合气体中气态硒的含量动态变化，具体包括：

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【技术特征摘要】

1.一种碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，所述利用硒化镉加热室（102）对硒化镉原料（4）进行加热，加热温度为t1，得到气态硒、气态镉以及气态硒化镉混合的第一气态反应前驱体，具体包括：

3.根据权利要求 2所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，所述利用硒化镉加热室（102）对硒化镉原料（4）进行动态加热，加热温度为t1，满足630℃≤t1≤700℃，得到气态硒、气态镉以及气态硒化镉混合的第一气态反应前驱体，所述混合气体中气态硒的含量动态变化，具体包括：

4.根据权利要求1所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，所述利用碲化镉加热室（103）对碲化镉原料（5）进行加热，加热温度为t2，满足t1>t2，得到气态碲、气态镉以及气态碲化镉混合的第二气态反应前驱体，具体包括：

5.根据权利要求4所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于，所述利用碲化镉加热室（103）对碲化镉原料（5）进行动态加热，加热温度为t2，满足t1>t2，600℃≤t2≤680℃，得到气态碲、气态镉以及气态碲化镉混合的第二气态反应前驱体，所述混合气体中气态硒的含量动态变化，具体包括：

6.根据权利要求2至5中任一项所述的碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡安红，周洁，杨耀辉，胡文化，吴奔，吴选之，
申请(专利权)人：龙焱能源科技杭州股份有限公司，
类型：发明
国别省市：