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本发明涉及光伏电池技术领域,公开了碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备,其中碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法,包括:利用硒化镉加热室对硒化镉原料进行加热,加热温度为T1,得到第一气态反应前驱体;利用碲化镉加热室对碲化镉原料进行加热,加热温度为...该专利属于龙焱能源科技(杭州)股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过龙焱能源科技(杭州)股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及光伏电池技术领域,公开了碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法及设备,其中碲硒化镉薄膜近空间升华沉积方法,包括:利用硒化镉加热室对硒化镉原料进行加热,加热温度为T1,得到第一气态反应前驱体;利用碲化镉加热室对碲化镉原料进行加热,加热温度为...