激光产生的等离子体ＥＵＶ光源制造技术

揭示了一种等离子体产生系统，该系统具有靶材料微滴源（比如锡微滴）和激光器（比如脉冲式二氧化碳激光器），激光器产生的光束照射在照射区域处的微滴，等离子体产生ＥＵＶ辐射。对于该设备，上述微滴源可以包括从一孔出射的流体以及在该流体中产生扰动的子系统，这种扰动产生了具有不同初始速度的微滴，从而使至少一些相邻的微滴对在到达上述照射区域之前就合并到一起了。在一个实现方式中，上述扰动可以包括频率调制的扰动波形，在另一个实现方式中，上述扰动可以包括振幅调制的扰动波形。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本申请涉及极远紫外(EUV)光源，这种光源从靶材料所产生的等离子体中产生EUV光，该EUV光被收集并引导至中间区域以便于光刻扫描器,/步进器 在EUV光源腔室之外加以利用。
技术介绍
极远紫外光(比如波长在50 nm左右或更小的电磁辐射，有时候也被称为软 X射线，也包括波长约13.5nm的光)可以用于光刻工艺，以在基片(比如硅晶片) 中产生极小的特征。产生EUV光的方法包括，但并不必然限于，将材料转换成具有至少一种元素 的等离子态(比如氙、锂或锡)，在EUV范围内有一条或多条发射线。在一种这样 的方法中，通常使用术语激光产生的等离子体(LPP)，通过使用激光束照射 具有所需线-发射元素的靶材料，可以产生所需的等离子体。一种特定的LPP技术包括用一个或多个前脉冲以及接下来的主脉冲，照射 靶材料微滴。在这一方面，二氧化碳激光器作为驱动激光器在LLP工艺中产生主脉 冲，可以呈现出某些优势。对于某些靶材料(比如熔融的锡微滴)而言，尤其如此。 例如， 一个优势可以包括能够产生相对高的转换效率，例如，输出EUV带内功率 与驱动激光器输入功率之比。从更理论化的角度看，LPP光源通过将激光能量沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：　等离子体产生系统，所述等离子体产生系统包括靶材料微滴源以及激光器，激光器所产生的光束用于照射位于照射区域处的微滴，等离子体用于产生ＥＵＶ辐射，其中，微滴源包括从一孔出射的流体以及在该流体中产生扰动的子系统，这种扰动用 于产生具有不同初始速度的微滴，从而使至少一些相邻的微滴对在到达所述照射区域之前合并到一起。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-7-13 11/827,8031.一种设备，包括等离子体产生系统，所述等离子体产生系统包括靶材料微滴源以及激光器，激光器所产生的光束用于照射位于照射区域处的微滴，等离子体用于产生EUV辐射，其中，微滴源包括从一孔出射的流体以及在该流体中产生扰动的子系统，这种扰动用于产生具有不同初始速度的微滴，从而使至少一些相邻的微滴对在到达所述照射区域之前合并到一起。2. 如权利要求1所述的设备，其特征在于，初始的微滴与合并的微滴之比大于2。3. 如权利要求2所述的设备，其特征在于， 所述子系统包括信号发生器和电可致动元件。4. 如权利要求1所述的设备，其特征在于， 所述扰动包括频率调制扰动波形。5. 如权利要求l所述的设备，其特征在于， 所述扰动包括振幅调制扰动波形。6. 如权利要求1所述的设备，其特征在于， 所述靶材料包括锡。7. 如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述子系统包括毛细管，所述扰动是通过挤压所述毛细管而在所述流体中产 生的。8. 如权利要求7所述的设备，其特征在于，所述激光器包括增益介质，所述增益介质包括二氧化碳。9. 如权利要求3所述的设备，其特征在于， 所述电可致动元件包括至少一个压电晶体。10. 如权利要求l所述的设备，其特征在于，所述扰动包括具有载波频率的载波以及具有含载波频率次谐波的频率的调制波。11. 如权利要求l所述的设备，其特征在于，所述激光器是具有脉冲重复频率的脉冲式激光器，所述扰动包括其调制频率 等于所述脉冲重...

【专利技术属性】
技术研发人员：G瓦斯恩冦，
申请(专利权)人：西默股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]