【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术的实施例一般涉及一种用于在等离子体工艺设备中匹配阻抗的射频(RF)扼流器及气体供应管。
技术介绍
随着对较大型平板显示器的需求持续增加，基板及工艺室的尺寸也要随之 增加。当太阳能面板的需求增加时，有时需要较高的RF场。 一种在基板上沉 积材料而在平板显示器或太阳能面板中应用的方法为等离子体辅助化学气相 沉积(PECVD)。在PECVD过程中，工艺气体经过喷气头而导入工艺室中， 并被施加至喷气头的RF场点燃成为等离子体。随着基板尺寸增加，施加至喷 气头的RF场也随之增加。随着RF场的增加，早期气体(premature gas)在气 体通过喷气头之前分解的可能性增加，则在喷气头上方形成寄生等离子体 (parasitic plasma)的可能性也会增加。因此，本领域中需要一种减少早期气体分解及寄生等离子体形成的RF扼 流器及气体供应管。
技术实现思路
在大面积等离子体工艺系统中，工艺气体经由喷气头组件而导入腔室中， 喷气头组件可作为RF电极驱动。接地的气体供应管与喷气头为电性隔离。气 体供应管不但提供工艺气体，还提供来自远程等离子体源的清洁气体至工艺 室。气体...
【技术保护点】
一种射频（ＲＦ）扼流器组件，包括： 气体供应管，包括金属；以及 一或多个亚铁盐组件，直接耦接至所述气体供应管，并至少部分地围绕所述气体供应管。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-7-20 60/951,0281、一种射频(RF)扼流器组件，包括气体供应管，包括金属；以及一或多个亚铁盐组件，直接耦接至所述气体供应管，并至少部分地围绕所述气体供应管。2、 如权利要求1所述的组件，其中所述一或多个亚铁盐组件包括多个亚铁盐盘，且其中相邻的所述多个亚铁盐盘由一或多个O形环而分隔开，其中所述气体供应管包括铝。3、 如权利要求1所述的组件，其中所述气体供应管包括围绕有第二外管的第一内管，还包括设置在所述第一内管及所述第二外管之间的一或多个组件，所述一或多个组件经定位以改变冷却流体在所述第一内管与所述第二外管之间的流动路径，其中所述一或多个组件包括缠绕于所述第一内管周围以产生缠绕路径的金属线，由此，在所述第一内管与所述第二外管之间的区域流动的所述冷却流体沿着所述第一内管与所述第二外管之间的所述缠绕路径流动，其中所述金属线延伸于所述第一 内管与所述第二外管之间。4、 如权利要求1所述的组件，其中所述气体供应管包括围绕有第二外管的第一内管，其中所述第一内管与所述第二外管各自包括金属。5、 如权利要求1所述的组件，其中所述一或多个亚铁盐组件包括多个亚铁盐盘，且其中相邻的所述些亚铁盐盘以预定距离分隔开。6、 一种设备，包括RF功率源；气体源；以及RF扼流器组件，耦接于所述RF功率源与所述气体源之间，所述组件包括气体供应管，包括金属、与所述气体源耦接的第一端以及与所述RF功率源耦接的第二端；以及一或多个亚铁盐组件，直接耦接至所述气体供应管，并至少部分地围绕所述气体供应管。7、 如权利要求6所述的设备，其中所述一或多个亚铁盐组件包括多个亚铁盐盘，且其中相邻的所述些亚铁盐...
【专利技术属性】
技术研发人员：乔瑟夫库德拉，卡尔A索伦森，约翰M怀特，
申请(专利权)人：应用材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
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