【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工工艺，具体而言，涉及一种叠层硅沟道的预清洗方法。
技术介绍
1、随着半导体芯片器件密度的提升，现有半导体制程技术已经接近硅材料的物理极限。为了继续提升器件密度，需要对半导体芯片器件进行空间的堆叠。半导体芯片器件堆叠工艺的前期程序为硅沟道的堆叠。如图1所示，在硅叠层11之间通过介质支撑层12支撑，相邻的硅叠层11之间形成硅沟道。堆叠形成硅沟道之后，在堆叠硅沟道表面形成自然氧化层13，如图1所示，该自然氧化层会影响半导体其他后续加工工艺，因此需要去掉这层自然氧化层，但是，由于叠层硅沟道的间隙相比于叠层硅沟道的长度较小，大约为1:10～1:2，叠层硅沟道整体相对较窄，所以气体难以扩散至叠层之间的所有区域，清洗自然氧化层的效果难以保证均匀。
技术实现思路
1、本专利技术的第一方面的目的在于提供一种叠层硅沟道的预清洗方法，以解决现有叠层硅沟道的氧化层清洗不均匀的技术问题。
2、本专利技术第一方面提供的叠层硅沟道的预清洗方法，所述预清洗方法包括：
3、准...
【技术保护点】
1.一种叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗步中，所述第二压力为80torr～300torr。
3.根据权利要求2所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述准备步中，所述第一压力为1torr～15torr。
4.根据权利要求2所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗气体包括氢气和氯化氢。
5.根据权利要求4所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗步还包括：打开远程等离子源，将所述氢气激活为氢自由基。p>
6.根据权...
【技术特征摘要】
1.一种叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗方法包括：
2.根据权利要求1所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗步中，所述第二压力为80torr～300torr。
3.根据权利要求2所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述准备步中，所述第一压力为1torr～15torr。
4.根据权利要求2所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗气体包括氢气和氯化氢。
5.根据权利要求4所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗步还包括：打开远程等离子源，将所述氢气激活为氢自由基。
6.根据权利要求4所述的叠层硅沟道的预清洗方法，其特征在于，所述预清洗步中，所述氢气...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟，
申请(专利权)人：北京集成电路装备创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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