本发明专利技术提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括第一循环步骤和第二循环步骤，第一循环步骤和第二循环步骤均包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的沉积步，其中，第二循环步骤的沉积步所采用的保护气体包括含氧气体，第二循环步骤的沉积步的下电极功率大于第一循环步骤的沉积步的下电极功率。该深硅刻蚀方法能够平衡隔离槽不同区域的刻蚀速率，优化深度微负载效应，提高隔离槽的深度一致性；同时，沉积步不消耗掩膜层，从而减少对掩膜层的消耗、保证掩膜层的有效高度，提高形成隔离槽和AA的形貌精度，以及产品的电性和良率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备。
技术介绍
1、随着科技的飞速发展，动态随机存取存储器(dynamic random access memory，dram)作为存储和交换数据的重要容器，对其性能的要求日益提高。有源阵列作为dram存储阵列区的关键结构，为了保证其电性和良率的稳定，有源区(active array，aa)之间的隔离槽要求深度达到200nm以上；有源阵列中，隔离槽不同区域存在图形密度差，深硅刻蚀形成隔离槽的过程中会产生深度微负载效应，而导致刻蚀得到的隔离槽的深度不一致，从而影响隔离槽和aa的形貌精度，影响产品的电性和良率。
2、相关技术中，一般通过增大刻蚀步中的下电极功率的占空比，以减小深度微负载效应，但是该操作同时会增大刻蚀步对掩膜层的刻蚀损耗，导致掩膜层端部的有效高度不够，进而致使aa遭受削头现象，严重地甚至出现断线缺陷，依然无法保证产品的电性和良率。
3、因此如何同时减小深度微负载效应并保证掩膜层的有效高度，以提高产品的电性和良率，是亟待解决的问题。
/>技术本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括第一循环步骤和第二循环步骤，所述第一循环步骤和所述第二循环步骤均包括用于在硅衬底(20)刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在所述沟槽的侧壁形成保护层的沉积步，其中，所述第二循环步骤的所述沉积步所采用的保护气体包括含氧气体，所述第二循环步骤的所述沉积步的下电极功率大于所述第一循环步骤的所述沉积步的下电极功率。
2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一循环步骤的所述沉积步的下电极功率为0，所述第二循环步骤的所述沉积步的下电极功率为10～80W。
3.根据权利要求2所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所...
【技术特征摘要】
1.一种深硅刻蚀方法，其特征在于，包括第一循环步骤和第二循环步骤，所述第一循环步骤和所述第二循环步骤均包括用于在硅衬底(20)刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在所述沟槽的侧壁形成保护层的沉积步，其中，所述第二循环步骤的所述沉积步所采用的保护气体包括含氧气体，所述第二循环步骤的所述沉积步的下电极功率大于所述第一循环步骤的所述沉积步的下电极功率。
2.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第一循环步骤的所述沉积步的下电极功率为0，所述第二循环步骤的所述沉积步的下电极功率为10～80w。
3.根据权利要求2所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第二循环步骤的所述沉积步的下电极功率为30～60w。
4.根据权利要求1所述的深硅刻蚀方法，其特征在于，所述第二循环步骤的所述沉积步中所述含氧气体的流量为200～300sccm。
5.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：葛鹏飞，桑爱书，
申请(专利权)人：北京集成电路装备创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：
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