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本发明提供一种深硅刻蚀方法及半导体工艺设备，涉及半导体技术领域。该深硅刻蚀方法包括第一循环步骤和第二循环步骤，第一循环步骤和第二循环步骤均包括用于在硅衬底刻蚀形成沟槽的刻蚀步、用于去除副产物的去除步和用于在沟槽的侧壁形成保护层的沉积步，其中...
该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。

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