一种高导热性高导电性互连结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及电子封装互连技术领域，尤其涉及一种高导热性高导电性互连结构及其制备方法，具体方法为：将具有铜凸点的芯片和具有铜凸点的焊盘浸泡在空间位阻剂‑银盐复合溶液，取出并干燥后，依次进行倒装热压键合和填充涂料，固化后得到高导热性高导电性互连结构；或在具有铜凸点的焊盘的表面填充涂层，得到在非铜凸点表面保留有填充涂层的焊盘；将在非铜凸点表面保留有填充涂层的焊盘和具有铜凸点的芯片浸泡在空间位阻剂‑银盐复合溶液，取出并干燥后进行倒装热压键合，得到高导热性高导电性互连结构。本发明专利技术提出一种的高导热性高导电性互连结构及其制备方法，在提高互连结构机械稳定性的前提下，实现导电性和导热性的提升。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子封装互连，尤其涉及一种高导热性高导电性互连结构及其制备方法。

技术介绍

1、随着5g/6g通信、人工智能和高性能计算等前沿领域的不断突破，对集成电路封装的性能要求愈发严苛。为了满足上述领域对于高带宽数据传输、低延迟响应以及大规模数据处理能力的需求，集成电路封装技术正持续朝着高密度、高性能、高可靠性的方向加速演进。在集成电路封装技术中，芯片与焊盘的互连是关键环节，直接影响器件的电性能、散热能力和机械稳定性。

2、传统的引线键合技术受限于寄生效应和封装密度，难以满足高带宽和低延迟的互连需求。而倒装芯片互连技术凭借其高密度互连、优异的电热性能和更短的信号传输路径，脱颖而出，成为现代先进封装的主流方案。倒装芯片封装技术的核心在于，首先在芯片和焊盘上精确制作凸点，再将具有凸点的芯片倒扣于具有凸点的焊盘上，利用焊盘和芯片上的凸点进行对准键合，从而实现芯片和焊盘之间的电气和机械连接。上述连接方式不仅大大提高了互连密度，减少了信号传输路径，还显著改善了电热性能，为芯片的高性能运行提供了有力保障。

3、在倒装芯片封装中，传统的焊料凸本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述银盐溶液的原料包括银盐和水，且所述银盐溶液中银盐的浓度为0.1～20mol/L。

3.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤A中，所述空间位阻剂溶液的原料包括空间位阻剂和水，且所述空间位阻剂溶液中空间位阻剂的浓度为0.5～20g/L。

4.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤A中，按照质量比计算，所述空间位阻剂溶液与...

【技术特征摘要】

1.一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述银盐溶液的原料包括银盐和水，且所述银盐溶液中银盐的浓度为0.1～20mol/l。

3.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，所述空间位阻剂溶液的原料包括空间位阻剂和水，且所述空间位阻剂溶液中空间位阻剂的浓度为0.5～20g/l。

4.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤a中，按照质量比计算，所述空间位阻剂溶液与所述银盐溶液的混合比例为1：(8～10)。

5.根据权利要求1所述的一种高导热性高导电性互连结构的制备方法，其特征在于，步骤b中，按照质量比计算，所述涂料中树脂、固化剂和有机溶剂的混合比例为(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨冠南，熊骞，吕俊弋，崔成强，张昱，黄光汉，
申请(专利权)人：广东工业大学，
类型：发明
国别省市：