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本发明提供了一种叠层硅沟道的预清洗方法,涉及半导体加工工艺技术领域,以解决叠层硅沟道的氧化层清洗不均匀的问题。叠层硅沟道的预清洗方法包括准备步和预清洗步;准备步中,预清洗腔室的压力为第一压力;预清洗步中,利用预清洗气体清洗叠层硅沟道的氧化层...该专利属于北京集成电路装备创新中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过北京集成电路装备创新中心有限公司授权不得商用。
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