【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体制造，具体涉及一种划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构。
技术介绍
1、在传统的划片工艺中，当对待切割件进行切割操作时，由于切割过程中产生的机械应力、热应力等多种复杂因素的综合作用，裂纹极易在待切割件内部萌生并沿垂直于待切割件的截面方向扩展，形成横向裂纹。当其扩展到待切割件的有效区时，将影响有效区的良率与可靠性。
2、为了应对划片裂纹扩展问题，常见解决方案为优化切割工艺参数，如调整切割速度、切割深度、切割刀具的类型与材质等，从而减少切割过程中应力的产生与集中，但这种方法在实际应用中往往受到待切割件材料特性、结构形状等多种因素的限制，效果有限。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请提供了一种划片裂纹扩展阻断方法和裂纹阻挡结构，主要目的是阻断划片裂纹扩展。
2、为达到上述目的，本申请主要提供如下技术方案：
3、本申请的一方面，提供了一种划片裂纹扩展阻断方法，包括：
4、获取待切割件的第一参数信息以及所述待切割件上作为裂纹阻挡结构的阵列...
【技术保护点】
1.一种划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，所述第一参数信息至少包括待切割件的长度、宽度和厚度；所述第二参数信息至少包括所述阵列孔的形状、尺寸、位置和数量。
3.根据权利要求1所述的划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，所述依据所述第一参数信息，结合每组所述第二参数信息，构建对应每组所述第二参数信息的多个所述待切割件的三维模型之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，所述对比不同所述第二参数信息对应的所述裂纹扩展特征，基于比对结果在多...
【技术特征摘要】
1.一种划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，所述第一参数信息至少包括待切割件的长度、宽度和厚度；所述第二参数信息至少包括所述阵列孔的形状、尺寸、位置和数量。
3.根据权利要求1所述的划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，所述依据所述第一参数信息，结合每组所述第二参数信息，构建对应每组所述第二参数信息的多个所述待切割件的三维模型之后，所述方法还包括：
4.根据权利要求1所述的划片裂纹扩展阻断方法，其特征在于，所述对比不同所述第二参数信息对应的所述裂纹扩展特征，基于比对结果在多组所述第二参数信息中选取目标参数信息，包括：
5.一种裂纹阻挡结构，其特征在于，应用于待切割件，...
【专利技术属性】
技术研发人员：武晓萌，于中尧，丁善军，方志丹，王启东，王文杰，杨芳，孙澎，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：
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